LDMOS器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610674970.9

申请日：

2016-08-16

公开(公告)号：

CN106298935A

公开(公告)日：

2017-01-04

发明(设计)人：

石晶

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L21336 H01L2910 H01L2906

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

王江富

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-02-01	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101700845569 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:2016106749709 申请日:20160816
2019-08-13	授权	授权
2017-01-04	公开	公开

共 50 条

[21]

LDMOS器件及其制造方法 [P].

钱文生 ;

吕赵鸿 .

中国专利 :CN102044563A ,2011-05-04

[22]

LDMOS器件及其制造方法 [P].

刘俊文 .

中国专利 :CN111697081A ,2020-09-22

[23]

LDMOS器件及其制造方法 [P].

王乐 .

中国专利 :CN102468335A ,2012-05-23

[24]

LDMOS器件及其制造方法 [P].

钱文生 ;

李娟娟 .

中国专利 :CN103035671B ,2013-04-10

[25]

LDMOS器件及其制造方法 [P].

许昭昭 ;

钱文生 .

中国专利 :CN108666363A ,2018-10-16

[26]

LDMOS器件及其制造方法 [P].

万宁 ;

李科 ;

丛密芳 ;

任建伟 ;

李永强 ;

宋李梅 ;

黄苒 ;

赵博华 ;

苏畅 ;

李浩 ;

黄振兴 ;

杜寰 .

中国专利 :CN109920737A ,2019-06-21

[27]

LDMOS器件及其制造方法 [P].

葛薇薇 .

中国专利 :CN111987164B ,2020-11-24

[28]

LDMOS器件及其制造方法 [P].

张强 ;

黄冠群 .

中国专利 :CN109713033A ,2019-05-03

[29]

LDMOS器件及其制造方法 [P].

钱文生 .

中国专利 :CN103633136B ,2014-03-12

[30]

一种具有深孔的LDMOS器件及其制造方法 [P].

陈瑜 ;

陈华伦 ;

邢超 .

中国专利 :CN104716179A ,2015-06-17

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