一种具有深孔的LDMOS器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310675662.4

申请日：

2013-12-11

公开(公告)号：

CN104716179A

公开(公告)日：

2015-06-17

发明(设计)人：

陈瑜陈华伦邢超

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2940 H01L21336 H01L2128

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

殷晓雪

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-07-15	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101616805195 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:2013106756624 申请日:20131211
2015-06-17	公开	公开
2018-07-31	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L 29/78 申请公布日:20150617

共 50 条

[1]

具有深孔的LDMOS器件及其制造方法 [P].

陈瑜 ;

陈华伦 ;

邢超 .

中国专利 :CN104716178A ,2015-06-17

[2]

开关LDMOS器件及其制造方法 [P].

钱文生 .

中国专利 :CN111554579A ,2020-08-18

[3]

LDMOS器件及其制造方法 [P].

石晶 .

中国专利 :CN106298935A ,2017-01-04

[4]

射频LDMOS器件及其制造方法 [P].

遇寒 ;

周正良 .

中国专利 :CN105047716B ,2015-11-11

[5]

LDMOS器件及其制造方法 [P].

钱文生 .

中国专利 :CN108878533A ,2018-11-23

[6]

LDMOS器件及其制造方法 [P].

钱文生 ;

石晶 ;

刘冬华 ;

段文婷 ;

胡君 .

中国专利 :CN103839998B ,2014-06-04

[7]

LDMOS器件及其制造方法 [P].

钱文生 .

中国专利 :CN104518027B ,2015-04-15

[8]

LDMOS器件及其制造方法 [P].

张强 ;

黄冠群 .

中国专利 :CN109713033A ,2019-05-03

[9]

LDMOS器件及其制造方法 [P].

许昭昭 .

中国专利 :CN111540785A ,2020-08-14

[10]

一种LDMOS器件及其制造方法 [P].

张博 ;

令海阳 .

中国专利 :CN118588562A ,2024-09-03

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