LDMOS器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910149287.7

申请日：

2019-02-28

公开(公告)号：

CN109920737A

公开(公告)日：

2019-06-21

发明(设计)人：

万宁李科丛密芳任建伟李永强宋李梅黄苒赵博华苏畅李浩黄振兴杜寰

申请人：

申请人地址：

102600 北京市大兴区经济技术开发区科创十四街99号33幢D栋二层2193号

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L21265 H01L2906 H01L29167 H01L29423 H01L2978

代理机构：

北京成创同维知识产权代理有限公司 11449

代理人：

高青

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-02-08	授权	授权
2019-06-21	公开	公开
2019-07-16	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/336 申请日:20190228

共 50 条

[1]

LDMOS器件及其制造方法 [P].

石晶 .

中国专利 :CN106298935A ,2017-01-04

[2]

LDMOS器件及其制造方法 [P].

刘俊文 .

中国专利 :CN111697081A ,2020-09-22

[3]

LDMOS器件及其制造方法 [P].

钱文生 ;

石晶 ;

刘冬华 ;

段文婷 ;

胡君 .

中国专利 :CN103839998B ,2014-06-04

[4]

开关LDMOS器件及其制造方法 [P].

钱文生 .

中国专利 :CN111554579A ,2020-08-18

[5]

射频LDMOS器件及其制造方法 [P].

遇寒 ;

李昊 ;

周正良 .

中国专利 :CN104425597B ,2015-03-18

[6]

LDMOS器件及其制造方法 [P].

许昭昭 .

中国专利 :CN111354644A ,2020-06-30

[7]

LDMOS器件及其制造方法 [P].

钱文生 ;

吕赵鸿 .

中国专利 :CN102044563A ,2011-05-04

[8]

LDMOS器件及其制造方法 [P].

房子荃 ;

钱文生 .

中国专利 :CN108400168A ,2018-08-14

[9]

LDMOS器件及其制造方法 [P].

许昭昭 ;

钱文生 .

中国专利 :CN108258051A ,2018-07-06

[10]

高压LDMOS器件及其制造方法 [P].

张帅 ;

刘坤 .

中国专利 :CN102543738A ,2012-07-04

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