LDMOS器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010757219.1

申请日：

2020-07-31

公开(公告)号：

CN111697081A

公开(公告)日：

2020-09-22

发明(设计)人：

刘俊文

申请人：

申请人地址：

214028 江苏省无锡市新吴区新洲路30号

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2906 H01L21336

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

罗雅文

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-09-22	公开	公开
2020-10-20	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20200731

共 50 条

[1]

LDMOS器件及其制造方法 [P].

钱文生 ;

吕赵鸿 .

中国专利 :CN102044563A ,2011-05-04

[2]

开关LDMOS器件及其制造方法 [P].

钱文生 .

中国专利 :CN111554579A ,2020-08-18

[3]

LDMOS器件及其制造方法 [P].

石晶 .

中国专利 :CN106298935A ,2017-01-04

[4]

LDMOS器件及其制造方法 [P].

陈天 ;

吕伟杰 ;

肖莉 ;

王黎 ;

陈华伦 .

中国专利 :CN115084266B ,2025-10-03

[5]

LDMOS器件及其制造方法 [P].

陈天 ;

吕伟杰 ;

肖莉 ;

王黎 ;

陈华伦 .

中国专利 :CN115084266A ,2022-09-20

[6]

LDMOS器件及其制造方法 [P].

吕伟杰 ;

陈天 ;

肖莉 ;

王黎 ;

陈华伦 .

中国专利 :CN118099212A ,2024-05-28

[7]

LDMOS器件及其制造方法 [P].

许昭昭 .

中国专利 :CN111354644A ,2020-06-30

[8]

LDMOS器件及其制造方法 [P].

李勇 .

中国专利 :CN105514160A ,2016-04-20

[9]

LDMOS器件及其制造方法 [P].

钱文生 ;

石晶 ;

刘冬华 ;

段文婷 ;

胡君 .

中国专利 :CN103839998B ,2014-06-04

[10]

LDMOS器件及其制造方法 [P].

万宁 ;

李科 ;

丛密芳 ;

任建伟 ;

李永强 ;

宋李梅 ;

黄苒 ;

赵博华 ;

苏畅 ;

李浩 ;

黄振兴 ;

杜寰 .

中国专利 :CN109920737A ,2019-06-21

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