LDMOS器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410499784.7

申请日：

2014-09-26

公开(公告)号：

CN105514160A

公开(公告)日：

2016-04-20

发明(设计)人：

李勇

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L21336 H01L29423

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038

代理人：

孙宝海

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-05-18	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101660907093 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:2014104997847 申请日:20140926
2016-04-20	公开	公开
2019-05-07	授权	授权

共 50 条

[1]

LDMOS器件及其制造方法 [P].

陈天 ;

吕伟杰 ;

肖莉 ;

王黎 ;

陈华伦 .

中国专利 :CN115084266B ,2025-10-03

[2]

LDMOS器件及其制造方法 [P].

陈天 ;

吕伟杰 ;

肖莉 ;

王黎 ;

陈华伦 .

中国专利 :CN115084266A ,2022-09-20

[3]

LDMOS器件及其制造方法 [P].

吕伟杰 ;

陈天 ;

肖莉 ;

王黎 ;

陈华伦 .

中国专利 :CN118099212A ,2024-05-28

[4]

LDMOS器件及其制造方法 [P].

钱文生 ;

吕赵鸿 .

中国专利 :CN102044563A ,2011-05-04

[5]

LDMOS器件及其制造方法 [P].

刘俊文 .

中国专利 :CN111697081A ,2020-09-22

[6]

LDMOS器件及其制造方法 [P].

方磊 .

中国专利 :CN108346696A ,2018-07-31

[7]

LDMOS器件及其制造方法 [P].

韩广涛 ;

孙贵鹏 ;

林峰 ;

马春霞 ;

黄枫 ;

任刚 .

中国专利 :CN102931089B ,2013-02-13

[8]

高压LDMOS器件及其制造方法 [P].

宋婉 ;

许昭昭 .

中国专利 :CN120568806A ,2025-08-29

[9]

一种LDMOS器件及其制造方法 [P].

肖莉红 ;

刘世振 .

中国专利 :CN120166754A ,2025-06-17

[10]

LDMOS器件及其制造方法 [P].

石晶 .

中国专利 :CN106298935A ,2017-01-04

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