LDMOS器件及其制造方法

被引：0

申请号：

CN202210514642.8

申请日：

2022-05-11

公开(公告)号：

CN115084266A

公开(公告)日：

2022-09-20

发明(设计)人：

陈天吕伟杰肖莉王黎陈华伦

申请人：

申请人地址：

214028 江苏省无锡市新吴区新洲路30号

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2906 H01L23552 H01L2940 H01L21336

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

郭四华

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-09-20	公开	公开

共 50 条

[1]

LDMOS器件及其制造方法 [P].

陈天 ;

吕伟杰 ;

肖莉 ;

王黎 ;

陈华伦 .

中国专利 :CN115084266B ,2025-10-03

[2]

LDMOS器件及其制造方法 [P].

吕伟杰 ;

陈天 ;

肖莉 ;

王黎 ;

陈华伦 .

中国专利 :CN118099212A ,2024-05-28

[3]

LDMOS器件及其制造方法 [P].

钱文生 ;

吕赵鸿 .

中国专利 :CN102044563A ,2011-05-04

[4]

LDMOS器件及其制造方法 [P].

刘俊文 .

中国专利 :CN111697081A ,2020-09-22

[5]

LDMOS器件及其制造方法 [P].

李勇 .

中国专利 :CN105514160A ,2016-04-20

[6]

LDMOS器件及其制造方法 [P].

韩广涛 ;

孙贵鹏 ;

林峰 ;

马春霞 ;

黄枫 ;

任刚 .

中国专利 :CN102931089B ,2013-02-13

[7]

高压LDMOS器件及其制造方法 [P].

宋婉 ;

许昭昭 .

中国专利 :CN120568806A ,2025-08-29

[8]

射频LDMOS器件及其制造方法 [P].

遇寒 ;

蔡莹 ;

周正良 ;

李昊 .

中国专利 :CN104425589B ,2015-03-18

[9]

射频LDMOS器件及其制造方法 [P].

钱文生 .

中国专利 :CN104701368B ,2015-06-10

[10]

一种LDMOS器件及其制造方法 [P].

肖莉红 ;

刘世振 .

中国专利 :CN120166754A ,2025-06-17

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