LDMOS器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210297088.9

申请日：

2012-08-20

公开(公告)号：

CN103633136B

公开(公告)日：

2014-03-12

发明(设计)人：

钱文生

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2906 H01L21336

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

殷晓雪

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-04-09	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101581317960 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:2012102970889 申请日:20120820
2016-02-10	授权	授权
2014-03-12	公开	公开

共 50 条

[1]

LDMOS器件及其制造方法 [P].

方磊 .

中国专利 :CN108574014B ,2018-09-25

[2]

LDMOS器件及其制造方法 [P].

石晶 .

中国专利 :CN106298935A ,2017-01-04

[3]

LDMOS器件及其制造方法 [P].

金锋 ;

石晶 .

中国专利 :CN104377242A ,2015-02-25

[4]

LDMOS器件及其制造方法 [P].

吴孝嘉 ;

罗泽煌 ;

孙贵鹏 .

中国专利 :CN102386211B ,2012-03-21

[5]

LDMOS器件及其制造方法 [P].

钱文生 .

中国专利 :CN108878533A ,2018-11-23

[6]

LDMOS器件及其制造方法 [P].

王乐 .

中国专利 :CN102468335A ,2012-05-23

[7]

LDMOS器件及其制造方法 [P].

钱文生 ;

石晶 ;

刘冬华 ;

段文婷 ;

胡君 .

中国专利 :CN103839998B ,2014-06-04

[8]

LDMOS器件及其制造方法 [P].

钱文生 ;

李娟娟 .

中国专利 :CN103035671B ,2013-04-10

[9]

LDMOS器件及其制造方法 [P].

陈正龙 .

中国专利 :CN115148602A ,2022-10-04

[10]

LDMOS器件及其制造方法 [P].

陈正龙 .

中国专利 :CN115513060A ,2022-12-23

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