LDMOS器件及其制造方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201610674970.9
申请日
2016-08-16
公开(公告)号
CN106298935A
公开(公告)日
2017-01-04
发明(设计)人
石晶
申请人
申请人地址
201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号
IPC主分类号
H01L2978
IPC分类号
H01L21336 H01L2910 H01L2906
代理机构
上海浦一知识产权代理有限公司 31211
代理人
王江富
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[41]
LDMOS器件及其制造方法 [P]. 
许昭昭 .
中国专利 :CN109244140A ,2019-01-18
[42]
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吕伟杰 ;
陈天 ;
肖莉 ;
王黎 ;
陈华伦 .
中国专利 :CN118099212A ,2024-05-28
[43]
LDMOS器件及其制造方法 [P]. 
许昭昭 .
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[44]
LDMOS器件及其制造方法 [P]. 
艾瑞克·布劳恩 ;
乔伊·迈克格雷格 ;
郑志星 .
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[45]
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[46]
一种超低比导通电阻的LDMOS器件及其制造方法 [P]. 
易波 ;
伍争 .
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[47]
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钱文生 ;
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慈朋亮 .
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[48]
RF LDMOS器件及制造方法 [P]. 
李娟娟 ;
慈朋亮 ;
钱文生 ;
韩峰 ;
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[49]
射频LDMOS器件的制造方法 [P]. 
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周正良 ;
遇寒 .
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[50]
高压功率LDMOS器件及其制造方法 [P]. 
吴孝嘉 ;
张森 ;
朱坤峰 .
中国专利 :CN102723353B ,2012-10-10