一种超低比导通电阻的LDMOS器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110698510.0

申请日：

2021-06-23

公开(公告)号：

CN113394298A

公开(公告)日：

2021-09-14

发明(设计)人：

易波伍争

申请人：

申请人地址：

611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2940 H01L21336

代理机构：

北京正华智诚专利代理事务所(普通合伙) 11870

代理人：

李林合

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-09-14	公开	公开
2021-10-01	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20210623

共 50 条

[1]

一种低比导通电阻的分立栅MOSFET器件及其制造方法 [P].

易波 ;

伍争 .

中国专利 :CN113410309A ,2021-09-17

[2]

具有低比导通电阻的分离栅VDMOS器件及其制造方法 [P].

章文通 ;

叶力 ;

方冬 ;

李珂 ;

林祺 ;

乔明 ;

张波 .

中国专利 :CN109148587A ,2019-01-04

[3]

一种高压低导通电阻LDMOS器件及其制造方法 [P].

方健 ;

吴琼乐 ;

陈吕赟 ;

王泽华 ;

蒋辉 ;

管超 ;

柏文斌 ;

黎莉 ;

杨毓俊 .

中国专利 :CN102005480A ,2011-04-06

[4]

一种超低比导通电阻的横向高压器件 [P].

乔明 ;

章文通 ;

李燕妃 ;

李肇基 ;

张波 .

中国专利 :CN103715238B ,2014-04-09

[5]

开关LDMOS器件及其制造方法 [P].

钱文生 .

中国专利 :CN111554579A ,2020-08-18

[6]

超低导通电阻LDMOS的制作方法 [P].

林威 ;

刘建华 .

中国专利 :CN112838118A ,2021-05-25

[7]

具有低比导通电阻的槽型器件及其制造方法 [P].

章文通 ;

何俊卿 ;

杨昆 ;

王睿 ;

乔明 ;

王卓 ;

张波 ;

李肇基 .

中国专利 :CN110444591A ,2019-11-12

[8]

一种低导通电阻MOSFET器件结构 [P].

张海峰 ;

宋宁 ;

朱小燕 ;

刘中梦雪 .

中国专利 :CN117727783A ,2024-03-19

[9]

一种低导通电阻的沟槽MOSFET器件及其制造方法 [P].

殷允超 ;

周祥瑞 .

中国专利 :CN108649072B ,2024-02-02

[10]

一种低导通电阻的沟槽MOSFET器件及其制造方法 [P].

殷允超 ;

周祥瑞 .

中国专利 :CN108649072A ,2018-10-12

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