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一种低导通电阻的沟槽MOSFET器件及其制造方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201810132017.0
申请日：
2018-02-09
公开(公告)号：
CN108649072B
公开(公告)日：
2024-02-02
发明(设计)人：
殷允超
周祥瑞
申请人：
江苏捷捷微电子股份有限公司
申请人地址：
226200 江苏省南通市启东科技创业园兴龙路8号
IPC主分类号：
H01L29/78
IPC分类号：
H01L21/336
H01L27/088
代理机构：
无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104
代理人：
曹祖良
法律状态：
授权
国省代码：
江苏省
徐州市
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2024-02-02 | 授权 | 授权 |