低栅极电荷低导通电阻深沟槽功率MOSFET器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110241525.0

申请日：

2011-08-22

公开(公告)号：

CN102263133B

公开(公告)日：

2011-11-30

发明(设计)人：

朱袁正秦旭光丁磊叶鹏

申请人：

申请人地址：

214131 江苏省无锡市滨湖区高浪东路999号无锡（滨湖）国家传感信息中心启航大厦8楼

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2940 H01L29423 H01L21336

代理机构：

无锡市大为专利商标事务所 32104

代理人：

曹祖良

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-11-07	授权	授权
2012-01-11	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101169311170 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:2011102415250 申请日:20110822
2011-11-30	公开	公开
2013-04-03	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101559195766 IPC(主分类):H01L 29/78 专利号:ZL2011102415250 变更事项:专利权人变更前权利人:无锡新洁能功率半导体有限公司变更后权利人:无锡新洁能股份有限公司变更事项:地址变更前权利人:214131 江苏省无锡市滨湖区高浪东路999号无锡(滨湖)国家传感信息中心启航大厦8楼变更后权利人:214131 江苏省无锡市滨湖区高浪东路999号(与华清路交叉口)无锡(滨湖)国家信息传感中心-B1号楼东侧第2层登记生效日:20130311

共 50 条

[1]

低栅极电荷低导通电阻深沟槽功率MOSFET器件 [P].

朱袁正 ;

秦旭光 ;

丁磊 ;

叶鹏 .

中国专利 :CN202205757U ,2012-04-25

[2]

一种低栅极电荷深沟槽功率MOS器件及其制造方法 [P].

秦旭光 ;

殷允超 .

中国专利 :CN101719516A ,2010-06-02

[3]

具有低特征导通电阻的功率MOSFET器件及其制造方法 [P].

朱袁正 ;

叶鹏 .

中国专利 :CN104241386A ,2014-12-24

[4]

一种低导通电阻的沟槽MOSFET器件及其制造方法 [P].

殷允超 ;

周祥瑞 .

中国专利 :CN108649072B ,2024-02-02

[5]

一种低导通电阻的沟槽MOSFET器件及其制造方法 [P].

殷允超 ;

周祥瑞 .

中国专利 :CN108649072A ,2018-10-12

[6]

低导通电阻的深沟槽MOSFET器件结构 [P].

李恩求 ;

李铁生 ;

杨乐 ;

刘琦 .

中国专利 :CN112271213A ,2021-01-26

[7]

具有低特征导通电阻的功率MOSFET器件 [P].

朱袁正 ;

叶鹏 .

中国专利 :CN204102907U ,2015-01-14

[8]

具有低导通电阻沟槽MOSFET器件及其制备方法 [P].

葛伟 ;

丁磊 ;

滕支刚 .

中国专利 :CN121078772A ,2025-12-05

[9]

一种低导通电阻的沟槽MOSFET器件 [P].

殷允超 ;

周祥瑞 .

中国专利 :CN207852683U ,2018-09-11

[10]

低导通电阻大功率MOS器件 [P].

黄彦智 ;

陆佳顺 ;

杨洁雯 .

中国专利 :CN207624705U ,2018-07-17

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