低导通电阻大功率MOS器件

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201721813438.7

申请日：

2017-12-22

公开(公告)号：

CN207624705U

公开(公告)日：

2018-07-17

发明(设计)人：

黄彦智陆佳顺杨洁雯

申请人：

申请人地址：

215123 江苏省苏州市工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城NW20幢501室

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L29423

代理机构：

苏州创元专利商标事务所有限公司 32103

代理人：

马明渡;王健

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-07-17	授权	授权

共 50 条

[1]

低栅极电荷低导通电阻深沟槽功率MOSFET器件 [P].

朱袁正 ;

秦旭光 ;

丁磊 ;

叶鹏 .

中国专利 :CN202205757U ,2012-04-25

[2]

具有低特征导通电阻的功率MOSFET器件 [P].

朱袁正 ;

叶鹏 .

中国专利 :CN204102907U ,2015-01-14

[3]

低导通电阻的横向MOS器件 [P].

陈伟元 .

中国专利 :CN202423297U ,2012-09-05

[4]

低栅极电荷低导通电阻深沟槽功率MOSFET器件及其制造方法 [P].

朱袁正 ;

秦旭光 ;

丁磊 ;

叶鹏 .

中国专利 :CN102263133B ,2011-11-30

[5]

具有低特征导通电阻的功率MOSFET器件及其制造方法 [P].

朱袁正 ;

叶鹏 .

中国专利 :CN104241386A ,2014-12-24

[6]

横向扩散型低导通电阻MOS器件 [P].

陈伟元 .

中国专利 :CN203242638U ,2013-10-16

[7]

具有低导通电阻的MOS器件 [P].

拉维尚卡尔·克里沙姆尔斯 ;

塞哈特·苏塔迪嘉 .

中国专利 :CN101911301B ,2010-12-08

[8]

一种低导通电阻沟槽功率MOS器件结构及其制备方法 [P].

李雪梅 ;

陈一 ;

蒋正洋 .

中国专利 :CN106449753A ,2017-02-22

[9]

大功率MOS器件 [P].

崔永明 ;

张干 ;

王作义 ;

彭彪 .

中国专利 :CN203950807U ,2014-11-19

[10]

沟槽功率MOS器件 [P].

黄彦智 ;

陆佳顺 ;

杨洁雯 .

中国专利 :CN207624702U ,2018-07-17

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