具有低导通电阻的MOS器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200880124088.0

申请日：

2008-12-17

公开(公告)号：

CN101911301B

公开(公告)日：

2010-12-08

发明(设计)人：

拉维尚卡尔·克里沙姆尔斯塞哈特·苏塔迪嘉

申请人：

申请人地址：

巴巴多斯圣迈克尔

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2906 H01L29423 H01L29417

代理机构：

北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258

代理人：

王安武;南霆

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-12-08	公开	公开
2011-01-19	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101032293695 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:2008801240880 申请日:20081217
2013-01-02	授权	授权
2019-12-06	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20081217 授权公告日:20130102 终止日期:20181217

共 50 条

[1]

具有低导通电阻的MOS器件的几何图形 [P].

塞哈特·苏塔迪嘉 ;

拉维尚卡尔·克里沙姆尔斯 .

中国专利 :CN102709285B ,2012-10-03

[2]

具有低导通电阻的MOS器件的几何图形 [P].

塞哈特·苏塔迪嘉 ;

拉维尚卡尔·克里沙姆尔斯 .

中国专利 :CN101657901B ,2010-02-24

[3]

低导通电阻的横向MOS器件 [P].

陈伟元 .

中国专利 :CN202423297U ,2012-09-05

[4]

横向扩散型低导通电阻MOS器件 [P].

陈伟元 .

中国专利 :CN103280455A ,2013-09-04

[5]

横向扩散型低导通电阻MOS器件 [P].

陈伟元 .

中国专利 :CN203242638U ,2013-10-16

[6]

具有低导通电阻的沟槽DMOS器件 [P].

王颖 ;

程超 ;

曹菲 ;

杨晓冬 .

中国专利 :CN101656269B ,2010-02-24

[7]

一种低导通电阻的横向MOS器件 [P].

胥超 ;

陈智 ;

刘宏森 .

中国专利 :CN222462889U ,2025-02-11

[8]

一种低导通电阻MOS器件及制备工艺 [P].

郑超 ;

陈敏 ;

欧新华 ;

袁琼 ;

孙春明 ;

戴维 ;

符志岗 ;

刘宗金 .

中国专利 :CN112436057B ,2021-03-02

[9]

低导通电阻大功率MOS器件 [P].

黄彦智 ;

陆佳顺 ;

杨洁雯 .

中国专利 :CN207624705U ,2018-07-17

[10]

低导通电阻的横向扩散MOS半导体器件 [P].

陈伟元 .

中国专利 :CN102569404B ,2012-07-11

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