具有低导通电阻的沟槽DMOS器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910072919.0

申请日：

2009-09-18

公开(公告)号：

CN101656269B

公开(公告)日：

2010-02-24

发明(设计)人：

王颖程超曹菲杨晓冬

申请人：

申请人地址：

150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区南通大街145号1号楼哈尔滨工程大学科技处知识产权办公室

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2938 H01L2906

代理机构：

代理人：

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-04-28	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101001106562 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:2009100729190 申请日:20090918
2019-09-10	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20090918 授权公告日:20120509 终止日期:20180918
2010-02-24	公开	公开
2012-05-09	授权	授权

共 50 条

[1]

具有低导通电阻的MOS器件 [P].

拉维尚卡尔·克里沙姆尔斯 ;

塞哈特·苏塔迪嘉 .

中国专利 :CN101911301B ,2010-12-08

[2]

具有低导通电阻沟槽MOSFET器件及其制备方法 [P].

葛伟 ;

丁磊 ;

滕支刚 .

中国专利 :CN121078772A ,2025-12-05

[3]

低导通电阻的深沟槽MOSFET器件结构 [P].

李恩求 ;

李铁生 ;

杨乐 ;

刘琦 .

中国专利 :CN112271213A ,2021-01-26

[4]

低导通电阻的横向MOS器件 [P].

陈伟元 .

中国专利 :CN202423297U ,2012-09-05

[5]

一种低导通电阻的沟槽MOSFET器件 [P].

殷允超 ;

周祥瑞 .

中国专利 :CN207852683U ,2018-09-11

[6]

具有低导通电阻的MOS器件的几何图形 [P].

塞哈特·苏塔迪嘉 ;

拉维尚卡尔·克里沙姆尔斯 .

中国专利 :CN101657901B ,2010-02-24

[7]

具有低导通电阻的MOS器件的几何图形 [P].

塞哈特·苏塔迪嘉 ;

拉维尚卡尔·克里沙姆尔斯 .

中国专利 :CN102709285B ,2012-10-03

[8]

具有增加的导通电阻的沟槽MOSFET器件 [P].

石甫渊 ;

苏根政 ;

约翰·E·阿马托 ;

崔炎曼 .

中国专利 :CN100474616C ,2005-11-09

[9]

低导通电阻MOSFET半导体器件 [P].

陈译 ;

陆佳顺 ;

杨洁雯 .

中国专利 :CN216698364U ,2022-06-07

[10]

低栅极电荷低导通电阻深沟槽功率MOSFET器件 [P].

朱袁正 ;

秦旭光 ;

丁磊 ;

叶鹏 .

中国专利 :CN202205757U ,2012-04-25

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