低导通电阻的横向MOS器件

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201220021989.0

申请日：

2012-01-18

公开(公告)号：

CN202423297U

公开(公告)日：

2012-09-05

发明(设计)人：

陈伟元

申请人：

申请人地址：

215104 江苏省苏州市吴中区国际教育园致能大道106号

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2908 H01L2936

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-09-05	授权	授权
2016-03-16	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101650484247 IPC(主分类):H01L 29/78 专利号:ZL2012200219890 申请日:20120118 授权公告日:20120905 终止日期:20150118

共 50 条

[1]

横向扩散型低导通电阻MOS器件 [P].

陈伟元 .

中国专利 :CN203242638U ,2013-10-16

[2]

横向扩散型低导通电阻MOS器件 [P].

陈伟元 .

中国专利 :CN103280455A ,2013-09-04

[3]

低导通电阻的横向扩散MOS半导体器件 [P].

陈伟元 .

中国专利 :CN102569404B ,2012-07-11

[4]

一种低导通电阻的横向MOS器件 [P].

胥超 ;

陈智 ;

刘宏森 .

中国专利 :CN222462889U ,2025-02-11

[5]

具有低导通电阻的MOS器件 [P].

拉维尚卡尔·克里沙姆尔斯 ;

塞哈特·苏塔迪嘉 .

中国专利 :CN101911301B ,2010-12-08

[6]

低导通电阻大功率MOS器件 [P].

黄彦智 ;

陆佳顺 ;

杨洁雯 .

中国专利 :CN207624705U ,2018-07-17

[7]

具有低导通电阻的MOS器件的几何图形 [P].

塞哈特·苏塔迪嘉 ;

拉维尚卡尔·克里沙姆尔斯 .

中国专利 :CN102709285B ,2012-10-03

[8]

具有低导通电阻的MOS器件的几何图形 [P].

塞哈特·苏塔迪嘉 ;

拉维尚卡尔·克里沙姆尔斯 .

中国专利 :CN101657901B ,2010-02-24

[9]

低导通电阻MOSFET半导体器件 [P].

陈译 ;

陆佳顺 ;

杨洁雯 .

中国专利 :CN216698364U ,2022-06-07

[10]

具有低导通电阻的横向功率集成器件 [P].

朴柱元 ;

高光植 ;

李相贤 .

中国专利 :CN106935647B ,2017-07-07

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