横向扩散型低导通电阻MOS器件

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201320225402.2

申请日：

2013-04-28

公开(公告)号：

CN203242638U

公开(公告)日：

2013-10-16

发明(设计)人：

陈伟元

申请人：

申请人地址：

江苏省苏州市吴中区国际教育园致能大道106号苏州市职业大学

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

代理机构：

苏州铭浩知识产权代理事务所(普通合伙) 32246

代理人：

张一鸣

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-10-16	授权	授权
2015-06-17	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101614353175 IPC(主分类):H01L 29/78 专利号:ZL2013202254022 申请日:20130428 授权公告日:20131016 终止日期:20140428

共 50 条

[1]

横向扩散型低导通电阻MOS器件 [P].

陈伟元 .

中国专利 :CN103280455A ,2013-09-04

[2]

低导通电阻的横向MOS器件 [P].

陈伟元 .

中国专利 :CN202423297U ,2012-09-05

[3]

低导通电阻的横向扩散MOS半导体器件 [P].

陈伟元 .

中国专利 :CN102569404B ,2012-07-11

[4]

一种低导通电阻的横向MOS器件 [P].

胥超 ;

陈智 ;

刘宏森 .

中国专利 :CN222462889U ,2025-02-11

[5]

具有低导通电阻的MOS器件 [P].

拉维尚卡尔·克里沙姆尔斯 ;

塞哈特·苏塔迪嘉 .

中国专利 :CN101911301B ,2010-12-08

[6]

低导通电阻大功率MOS器件 [P].

黄彦智 ;

陆佳顺 ;

杨洁雯 .

中国专利 :CN207624705U ,2018-07-17

[7]

低导通电阻MOSFET半导体器件 [P].

陈译 ;

陆佳顺 ;

杨洁雯 .

中国专利 :CN216698364U ,2022-06-07

[8]

具有低比导通电阻的横向高压器件 [P].

周锌 ;

赵凯 ;

马阔 ;

王睿迪 ;

乔明 ;

张波 .

中国专利 :CN109411540A ,2019-03-01

[9]

低导通电阻VDMOS器件及制备方法 [P].

刘锋 ;

刘胜 ;

王国平 ;

叶双莉 .

中国专利 :CN104409507A ,2015-03-11

[10]

具有低导通电阻的MOS器件的几何图形 [P].

塞哈特·苏塔迪嘉 ;

拉维尚卡尔·克里沙姆尔斯 .

中国专利 :CN102709285B ,2012-10-03

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