低导通电阻的横向扩散MOS半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210014741.6

申请日：

2012-01-18

公开(公告)号：

CN102569404B

公开(公告)日：

2012-07-11

发明(设计)人：

陈伟元

申请人：

申请人地址：

215104 江苏省苏州市吴中区国际教育园致能大道106号

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2910 H01L2936

代理机构：

代理人：

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-09-12	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101324740141 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:2012100147416 申请日:20120118
2017-03-08	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101706172763 IPC(主分类):H01L 29/78 专利号:ZL2012100147416 申请日:20120118 授权公告日:20141126 终止日期:20160118
2012-07-11	公开	公开
2014-11-26	授权	授权

共 50 条

[1]

横向扩散型低导通电阻MOS器件 [P].

陈伟元 .

中国专利 :CN203242638U ,2013-10-16

[2]

横向扩散型低导通电阻MOS器件 [P].

陈伟元 .

中国专利 :CN103280455A ,2013-09-04

[3]

低导通电阻的横向MOS器件 [P].

陈伟元 .

中国专利 :CN202423297U ,2012-09-05

[4]

低导通电阻MOSFET半导体器件 [P].

陈译 ;

陆佳顺 ;

杨洁雯 .

中国专利 :CN216698364U ,2022-06-07

[5]

一种低导通电阻横向双扩散金属氧化物半导体器件 [P].

孙伟锋 ;

薛颖 ;

叶然 ;

陈欣 ;

刘斯扬 ;

陆生礼 ;

时龙兴 .

中国专利 :CN106024905A ,2016-10-12

[6]

一种低导通电阻的横向MOS器件 [P].

胥超 ;

陈智 ;

刘宏森 .

中国专利 :CN222462889U ,2025-02-11

[7]

具有低导通电阻的MOS器件 [P].

拉维尚卡尔·克里沙姆尔斯 ;

塞哈特·苏塔迪嘉 .

中国专利 :CN101911301B ,2010-12-08

[8]

一种低导通电阻功率半导体器件 [P].

刘斯扬 ;

戴志刚 ;

吴其祥 ;

叶然 ;

徐志远 ;

孙伟锋 ;

陆生礼 ;

时龙兴 .

中国专利 :CN107910357A ,2018-04-13

[9]

一种低导通电阻的双栅横向双扩散金属氧化物半导体器件 [P].

刘斯扬 ;

卢丽 ;

郑贵强 ;

余仲轩 ;

孙伟锋 ;

时龙兴 .

中国专利 :CN114759093A ,2022-07-15

[10]

低导通电阻的SGT制备方法、半导体器件及设备 [P].

陈敏 ;

戴维 ;

欧新华 ;

袁琼 ;

庞艳楠 ;

夏杰 ;

吴佳 ;

吴晨雨 .

中国专利 :CN114864488A ,2022-08-05

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