低导通电阻的SGT制备方法、半导体器件及设备

被引：0

申请号：

CN202210326568.7

申请日：

2022-03-30

公开(公告)号：

CN114864488A

公开(公告)日：

2022-08-05

发明(设计)人：

陈敏戴维欧新华袁琼庞艳楠夏杰吴佳吴晨雨

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区祖冲之路2277弄7号

IPC主分类号：

H01L2177

IPC分类号：

H01L2348 H01L2712

代理机构：

上海慧晗知识产权代理事务所(普通合伙) 31343

代理人：

徐海晟

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-08-23	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/77 申请日:20220330
2022-08-05	公开	公开

共 50 条

[1]

低导通电阻MOSFET半导体器件 [P].

陈译 ;

陆佳顺 ;

杨洁雯 .

中国专利 :CN216698364U ,2022-06-07

[2]

低导通电阻沟槽型功率半导体器件的制备方法 [P].

胡盖 ;

夏华秋 ;

夏华忠 ;

黄传伟 ;

李健 ;

诸建周 .

中国专利 :CN112838010A ,2021-05-25

[3]

低导通电阻的SGT器件及其制造方法 [P].

罗光美 ;

蔡晓晴 ;

卢光远 ;

陈天 ;

肖莉 ;

陈华伦 .

中国专利 :CN118538768A ,2024-08-23

[4]

一种低导通电阻功率半导体器件 [P].

刘斯扬 ;

戴志刚 ;

吴其祥 ;

叶然 ;

徐志远 ;

孙伟锋 ;

陆生礼 ;

时龙兴 .

中国专利 :CN107910357A ,2018-04-13

[5]

低导通电阻半导体功率器件及其制备方法 [P].

李科 ;

杨同同 ;

苟学鑫 ;

张文鑫 ;

曹学文 ;

颜天才 ;

杨列勇 ;

陈为玉 .

中国专利 :CN118943006A ,2024-11-12

[6]

低导通电阻的横向扩散MOS半导体器件 [P].

陈伟元 .

中国专利 :CN102569404B ,2012-07-11

[7]

具有低导通电阻的半导体器件结构及其制造方法 [P].

张在亨 ;

池熺奂 ;

孙振荣 .

中国专利 :CN108695389B ,2018-10-23

[8]

低导通电阻的半导体装置及其制造方法 [P].

陈永初 ;

吴锡垣 .

中国专利 :CN104051499A ,2014-09-17

[9]

一种低导通电阻的异质结半导体器件 [P].

刘斯扬 ;

张弛 ;

肖魁 ;

孙贵鹏 ;

王德进 ;

魏家行 ;

卢丽 ;

孙伟锋 ;

陆生礼 .

中国专利 :CN111354777A ,2020-06-30

[10]

低导通电阻VDMOS器件及制备方法 [P].

刘锋 ;

刘胜 ;

王国平 ;

叶双莉 .

中国专利 :CN104409507A ,2015-03-11

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