低导通电阻的SGT器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410635999.0

申请日：

2024-05-21

公开(公告)号：

CN118538768A

公开(公告)日：

2024-08-23

发明(设计)人：

罗光美蔡晓晴卢光远陈天肖莉陈华伦

申请人：

华虹半导体（无锡）有限公司上海华虹宏力半导体制造有限公司

申请人地址：

214028 江苏省无锡市新吴区新洲路30号

IPC主分类号：

H01L29/78

IPC分类号：

H01L21/336 H01L29/423 H01L29/06

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

刘昌荣

法律状态：

公开

国省代码：

上海市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-08-23	公开	公开
2024-09-10	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 29/78申请日:20240521

共 50 条

[1]

一种低导通电阻分立器件及低导通电阻分立器件制备方法 [P].

王川 ;

熊育飞 ;

黎钟磬 ;

丁来建 .

中国专利 :CN119630039A ,2025-03-14

[2]

低导通电阻的SGT制备方法、半导体器件及设备 [P].

陈敏 ;

戴维 ;

欧新华 ;

袁琼 ;

庞艳楠 ;

夏杰 ;

吴佳 ;

吴晨雨 .

中国专利 :CN114864488A ,2022-08-05

[3]

具有低导通电阻沟槽MOSFET器件及其制备方法 [P].

葛伟 ;

丁磊 ;

滕支刚 .

中国专利 :CN121078772A ,2025-12-05

[4]

一种低导通电阻的沟槽MOSFET器件及其制造方法 [P].

殷允超 ;

周祥瑞 .

中国专利 :CN108649072B ,2024-02-02

[5]

一种低导通电阻的沟槽MOSFET器件及其制造方法 [P].

殷允超 ;

周祥瑞 .

中国专利 :CN108649072A ,2018-10-12

[6]

具有低比导通电阻的槽型器件及其制造方法 [P].

章文通 ;

何俊卿 ;

杨昆 ;

王睿 ;

乔明 ;

王卓 ;

张波 ;

李肇基 .

中国专利 :CN110444591A ,2019-11-12

[7]

具有低特征导通电阻的功率MOSFET器件及其制造方法 [P].

朱袁正 ;

叶鹏 .

中国专利 :CN104241386A ,2014-12-24

[8]

具有低导通电阻的半导体器件结构及其制造方法 [P].

张在亨 ;

池熺奂 ;

孙振荣 .

中国专利 :CN108695389B ,2018-10-23

[9]

低导通电阻VDMOS器件及制备方法 [P].

刘锋 ;

刘胜 ;

王国平 ;

叶双莉 .

中国专利 :CN104409507A ,2015-03-11

[10]

一种低导通电阻的功率器件及制造方法 [P].

魏家行 ;

王晨露 ;

付浩 ;

宋兆旭 ;

刘斯扬 ;

孙伟锋 ;

时龙兴 .

中国专利 :CN117832275A ,2024-04-05

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