一种低导通电阻的沟槽MOSFET器件

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201820229848.5

申请日：

2018-02-09

公开(公告)号：

CN207852683U

公开(公告)日：

2018-09-11

发明(设计)人：

殷允超周祥瑞

申请人：

申请人地址：

226200 江苏省南通市启东科技创业园兴龙路8号

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L21336 H01L27088

代理机构：

无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104

代理人：

曹祖良

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-09-11	授权	授权
2020-10-16	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L 29/78 变更事项:专利权人变更前:江苏捷捷微电子股份有限公司变更后:江苏捷捷微电子股份有限公司变更事项:地址变更前:226200 江苏省南通市启东科技创业园兴龙路8号变更后:226200 江苏省南通市启东市经济开发区钱塘江路3000号

共 50 条

[1]

一种低导通电阻的沟槽MOSFET器件及其制造方法 [P].

殷允超 ;

周祥瑞 .

中国专利 :CN108649072B ,2024-02-02

[2]

一种低导通电阻的沟槽MOSFET器件及其制造方法 [P].

殷允超 ;

周祥瑞 .

中国专利 :CN108649072A ,2018-10-12

[3]

低栅极电荷低导通电阻深沟槽功率MOSFET器件 [P].

朱袁正 ;

秦旭光 ;

丁磊 ;

叶鹏 .

中国专利 :CN202205757U ,2012-04-25

[4]

一种低导通电阻MOSFET器件结构 [P].

张海峰 ;

宋宁 ;

朱小燕 ;

刘中梦雪 .

中国专利 :CN117727783A ,2024-03-19

[5]

具有低导通电阻沟槽MOSFET器件及其制备方法 [P].

葛伟 ;

丁磊 ;

滕支刚 .

中国专利 :CN121078772A ,2025-12-05

[6]

具有低导通电阻的超结MOSFET [P].

姜鹏 ;

张海涛 .

中国专利 :CN214753770U ,2021-11-16

[7]

低栅极电荷低导通电阻深沟槽功率MOSFET器件及其制造方法 [P].

朱袁正 ;

秦旭光 ;

丁磊 ;

叶鹏 .

中国专利 :CN102263133B ,2011-11-30

[8]

具有低特征导通电阻的功率MOSFET器件 [P].

朱袁正 ;

叶鹏 .

中国专利 :CN204102907U ,2015-01-14

[9]

一种具有低导通电阻特性的槽栅MOSFET器件 [P].

李泽宏 ;

陈文梅 ;

李爽 ;

曹晓峰 ;

陈哲 ;

包惠萍 ;

任敏 .

中国专利 :CN105957885A ,2016-09-21

[10]

低导通电阻的深沟槽MOSFET器件结构 [P].

李恩求 ;

李铁生 ;

杨乐 ;

刘琦 .

中国专利 :CN112271213A ,2021-01-26

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