具有增加的导通电阻的沟槽MOSFET器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN02823246.1

申请日：

2002-11-20

公开(公告)号：

CN100474616C

公开(公告)日：

2005-11-09

发明(设计)人：

石甫渊苏根政约翰·E·阿马托崔炎曼

申请人：

申请人地址：

美国纽约

IPC主分类号：

H01L2976

IPC分类号：

H01L2994 H01L31062 H01L31113 H01L31119 H01L2974 H01L21336 H01L213205 H01L218238 H01L214763 H01L2120

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司

代理人：

樊卫民;钟强

法律状态：

公开

国省代码：

引用

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共 50 条

[1]

具有低导通电阻沟槽MOSFET器件及其制备方法 [P].

葛伟 ;

丁磊 ;

滕支刚 .

中国专利 :CN121078772A ,2025-12-05

[2]

一种低导通电阻的沟槽MOSFET器件 [P].

殷允超 ;

周祥瑞 .

中国专利 :CN207852683U ,2018-09-11

[3]

低导通电阻的深沟槽MOSFET器件结构 [P].

李恩求 ;

李铁生 ;

杨乐 ;

刘琦 .

中国专利 :CN112271213A ,2021-01-26

[4]

具有低导通电阻的沟槽DMOS器件 [P].

王颖 ;

程超 ;

曹菲 ;

杨晓冬 .

中国专利 :CN101656269B ,2010-02-24

[5]

具有降低的导通电阻的沟槽型功率 MOSFET [P].

克里斯托夫·L·雷克塞尔 ;

瑞图·索迪 .

中国专利 :CN102623500A ,2012-08-01

[6]

具有低特征导通电阻的功率MOSFET器件 [P].

朱袁正 ;

叶鹏 .

中国专利 :CN204102907U ,2015-01-14

[7]

一种低导通电阻的沟槽MOSFET器件及其制造方法 [P].

殷允超 ;

周祥瑞 .

中国专利 :CN108649072B ,2024-02-02

[8]

一种低导通电阻的沟槽MOSFET器件及其制造方法 [P].

殷允超 ;

周祥瑞 .

中国专利 :CN108649072A ,2018-10-12

[9]

超低导通电阻分离栅MOSFET器件 [P].

刘锋 ;

殷允超 ;

刘秀梅 .

中国专利 :CN211295111U ,2020-08-18

[10]

具有降低的导通电阻的SiC MOSFET [P].

R·西米尼克 ;

T·艾辛格 ;

R·K·乔希 ;

W·舒斯特雷德 .

中国专利 :CN114944329A ,2022-08-26

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法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2005-11-09	公开	公开
2006-01-04	实质审查的生效	实质审查的生效
2009-04-01	授权	授权
2018-11-06	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 29/76 申请日:20021120 授权公告日:20090401 终止日期:20171120