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具有降低的导通电阻的SiC MOSFET
被引：0
申请号：
CN202210146235.6
申请日：
2022-02-17
公开(公告)号：
CN114944329A
公开(公告)日：
2022-08-26
发明(设计)人：
R·西米尼克
T·艾辛格
R·K·乔希
W·舒斯特雷德
申请人：
申请人地址：
德国瑙伊比贝尔格市坎芘昂1－15号
IPC主分类号：
H01L2128
IPC分类号：
H01L21336
H01L29423
H01L2978
代理机构：
中国专利代理(香港)有限公司 72001
代理人：
申屠伟进;陈岚
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2022-08-26 | 公开 | 公开 |