具有降低的导通电阻的沟槽型功率 MOSFET

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210020055.X

申请日：

2012-01-20

公开(公告)号：

CN102623500A

公开(公告)日：

2012-08-01

发明(设计)人：

克里斯托夫·L·雷克塞尔瑞图·索迪

申请人：

申请人地址：

美国缅因州

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2906 H01L29423 H01L21336 H01L2128

代理机构：

北京康信知识产权代理有限责任公司 11240

代理人：

余刚;吴孟秋

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-06-01	授权	授权
2014-02-26	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101572534614 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:201210020055X 申请日:20120120
2012-08-01	公开	公开

共 50 条

[1]

具有降低的导通电阻的SiC MOSFET [P].

R·西米尼克 ;

T·艾辛格 ;

R·K·乔希 ;

W·舒斯特雷德 .

中国专利 :CN114944329A ,2022-08-26

[2]

具有增加的导通电阻的沟槽MOSFET器件 [P].

石甫渊 ;

苏根政 ;

约翰·E·阿马托 ;

崔炎曼 .

中国专利 :CN100474616C ,2005-11-09

[3]

具有低导通电阻的高电压功率MOSFET [P].

理查德·A·布朗夏尔 .

中国专利 :CN101567384A ,2009-10-28

[4]

降低沟槽型VDMOS的导通电阻的方法 [P].

闻正锋 ;

邱海亮 ;

马万里 ;

赵文魁 .

中国专利 :CN106158655A ,2016-11-23

[5]

具有低导通电阻的高电压功率MOSFET [P].

理查德·A·布朗夏尔 .

中国专利 :CN100463122C ,2005-11-23

[6]

一种降低导通电阻的屏蔽栅沟槽功率MOSFET结构及其制备方法 [P].

张军亮 ;

陈利 ;

陈译 ;

姜帆 ;

刘玉山 .

中国专利 :CN110223919A ,2019-09-10

[7]

具有低特征导通电阻的功率MOSFET器件 [P].

朱袁正 ;

叶鹏 .

中国专利 :CN204102907U ,2015-01-14

[8]

降低起始电压及导通电阻的MOSFET组件 [P].

廖奇泊 ;

陈俊峰 ;

周雯 .

中国专利 :CN204857733U ,2015-12-09

[9]

降低起始电压及导通电阻的MOSFET组件 [P].

廖奇泊 ;

陈俊峰 ;

周雯 .

中国专利 :CN105161537A ,2015-12-16

[10]

一种低导通电阻的沟槽MOSFET器件 [P].

殷允超 ;

周祥瑞 .

中国专利 :CN207852683U ,2018-09-11

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