降低沟槽型VDMOS的导通电阻的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510191278.6

申请日：

2015-04-21

公开(公告)号：

CN106158655A

公开(公告)日：

2016-11-23

发明(设计)人：

闻正锋邱海亮马万里赵文魁

申请人：

申请人地址：

100871 北京市海淀区成府路298号中关村方正大厦9层

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L2128

代理机构：

北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205

代理人：

陶敏;黄健

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-12-21	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101692530420 IPC(主分类):H01L 21/336 专利申请号:2015101912786 申请日:20150421
2020-05-15	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 21/336 申请公布日:20161123
2016-11-23	公开	公开

共 50 条

[1]

具有降低的导通电阻的沟槽型功率 MOSFET [P].

克里斯托夫·L·雷克塞尔 ;

瑞图·索迪 .

中国专利 :CN102623500A ,2012-08-01

[2]

一种改善SiC VDMOS导通电阻的方法 [P].

郑理 ;

冯竣虹 ;

程新红 ;

张程 ;

曾嘉毓 .

中国专利 :CN118471818A ,2024-08-09

[3]

沟槽型VDMOS器件的制备方法 [P].

赵圣哲 .

中国专利 :CN106298891A ,2017-01-04

[4]

降低功率晶体管导通电阻的方法 [P].

廖奇泊 ;

陈俊峰 ;

周雯 .

中国专利 :CN104538308A ,2015-04-22

[5]

一种生产沟槽型VDMOS的方法及沟槽型VDMOS [P].

马万里 .

中国专利 :CN105280497A ,2016-01-27

[6]

具有低导通电阻沟槽MOSFET器件及其制备方法 [P].

葛伟 ;

丁磊 ;

滕支刚 .

中国专利 :CN121078772A ,2025-12-05

[7]

一种降低低压Trench DMOS导通电阻的制造方法 [P].

朱袁正 ;

叶鹏 ;

王根毅 ;

周永珍 .

中国专利 :CN106298946A ,2017-01-04

[8]

一种低导通电阻的沟槽MOSFET器件及其制造方法 [P].

殷允超 ;

周祥瑞 .

中国专利 :CN108649072B ,2024-02-02

[9]

一种低导通电阻的沟槽MOSFET器件及其制造方法 [P].

殷允超 ;

周祥瑞 .

中国专利 :CN108649072A ,2018-10-12

[10]

一种降低沟槽型金属氧化物半导体导通电阻的方法 [P].

黄泽军 ;

张二雄 ;

刘厚超 ;

李何莉 .

中国专利 :CN110729196A ,2020-01-24

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