一种生产沟槽型VDMOS的方法及沟槽型VDMOS

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410328153.9

申请日：

2014-07-10

公开(公告)号：

CN105280497A

公开(公告)日：

2016-01-27

发明(设计)人：

马万里

申请人：

申请人地址：

100871 北京市海淀区成府路298号中关村方正大厦808室

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L2978 H01L2906

代理机构：

北京银龙知识产权代理有限公司 11243

代理人：

许静;黄灿

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-01-27	公开	公开
2016-02-24	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101647686403 IPC(主分类):H01L 21/336 专利申请号:2014103281539 申请日:20140710

共 50 条

[1]

沟槽型VDMOS制造方法 [P].

闻正锋 ;

邱海亮 ;

马万里 ;

赵文魁 .

中国专利 :CN106158661A ,2016-11-23

[2]

沟槽型VDMOS制造方法 [P].

闻正锋 ;

邱海亮 ;

马万里 ;

赵文魁 .

中国专利 :CN106158660A ,2016-11-23

[3]

一种沟槽型VDMOS [P].

任敏 ;

李爽 ;

钟子期 ;

包惠萍 ;

李泽宏 ;

张金平 ;

高巍 ;

张波 .

中国专利 :CN106298937A ,2017-01-04

[4]

沟槽型VDMOS器件及其制作方法 [P].

马万里 .

中国专利 :CN105448980B ,2016-03-30

[5]

一种沟槽型VDMOS器件及其制造方法 [P].

马万里 .

中国专利 :CN105097545A ,2015-11-25

[6]

沟槽型VDMOS器件的制备方法 [P].

赵圣哲 .

中国专利 :CN106298891A ,2017-01-04

[7]

沟槽型VDMOS器件及其制造方法 [P].

李明 ;

刘国梁 ;

赵圣哲 ;

李理 .

中国专利 :CN111192829B ,2020-05-22

[8]

一种沟槽型VDMOS器件及其制造方法 [P].

马万里 .

中国专利 :CN105097543A ,2015-11-25

[9]

降低沟槽型VDMOS的导通电阻的方法 [P].

闻正锋 ;

邱海亮 ;

马万里 ;

赵文魁 .

中国专利 :CN106158655A ,2016-11-23

[10]

一种沟槽结构的VDMOS [P].

任敏 ;

李爽 ;

李家驹 ;

罗蕾 ;

李泽宏 ;

张金平 ;

高巍 ;

张波 .

中国专利 :CN106098781B ,2016-11-09

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