沟槽型VDMOS制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510205792.0

申请日：

2015-04-27

公开(公告)号：

CN106158661A

公开(公告)日：

2016-11-23

发明(设计)人：

闻正锋邱海亮马万里赵文魁

申请人：

申请人地址：

100871 北京市海淀区成府路298号中关村方正大厦9层

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

代理机构：

北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205

代理人：

陶敏;黄健

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-11-23	公开	公开
2016-12-21	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101692519622 IPC(主分类):H01L 21/336 专利申请号:2015102057920 申请日:20150427
2020-05-15	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 21/336 申请公布日:20161123

共 50 条

[1]

沟槽型VDMOS制造方法 [P].

闻正锋 ;

邱海亮 ;

马万里 ;

赵文魁 .

中国专利 :CN106158660A ,2016-11-23

[2]

沟槽型VDMOS器件及其制造方法 [P].

李明 ;

刘国梁 ;

赵圣哲 ;

李理 .

中国专利 :CN111192829B ,2020-05-22

[3]

一种生产沟槽型VDMOS的方法及沟槽型VDMOS [P].

马万里 .

中国专利 :CN105280497A ,2016-01-27

[4]

一种沟槽型VDMOS器件及其制造方法 [P].

马万里 .

中国专利 :CN105097545A ,2015-11-25

[5]

一种沟槽型VDMOS器件及其制造方法 [P].

马万里 .

中国专利 :CN105097543A ,2015-11-25

[6]

沟槽型VDMOS器件的制备方法 [P].

赵圣哲 .

中国专利 :CN106298891A ,2017-01-04

[7]

沟槽型VDMOS器件及其制作方法 [P].

马万里 .

中国专利 :CN105448980B ,2016-03-30

[8]

VDMOS的制造方法和VDMOS [P].

马万里 ;

闻正锋 .

中国专利 :CN104900526A ,2015-09-09

[9]

降低沟槽型VDMOS的导通电阻的方法 [P].

闻正锋 ;

邱海亮 ;

马万里 ;

赵文魁 .

中国专利 :CN106158655A ,2016-11-23

[10]

一种沟槽型VDMOS器件及其制造方法 [P].

马万里 .

中国专利 :CN103367145A ,2013-10-23

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