一种沟槽结构的VDMOS

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610676906.4

申请日：

2016-08-17

公开(公告)号：

CN106098781B

公开(公告)日：

2016-11-09

发明(设计)人：

任敏李爽李家驹罗蕾李泽宏张金平高巍张波

申请人：

申请人地址：

611731 四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2906

代理机构：

成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232

代理人：

葛启函

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-12-07	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101690433356 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:2016106769064 申请日:20160817
2018-10-26	授权	授权
2022-08-12	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20160817 授权公告日:20181026 终止日期:20210817
2016-11-09	公开	公开

共 50 条

[1]

一种沟槽型VDMOS [P].

任敏 ;

李爽 ;

钟子期 ;

包惠萍 ;

李泽宏 ;

张金平 ;

高巍 ;

张波 .

中国专利 :CN106298937A ,2017-01-04

[2]

一种生产沟槽型VDMOS的方法及沟槽型VDMOS [P].

马万里 .

中国专利 :CN105280497A ,2016-01-27

[3]

一种沟槽型VDMOS器件及其制造方法 [P].

马万里 .

中国专利 :CN105097545A ,2015-11-25

[4]

一种带有超结结构的沟槽型VDMOS器件 [P].

范捷 ;

万立宏 ;

王绍荣 .

中国专利 :CN208674064U ,2019-03-29

[5]

沟槽型VDMOS器件及其制作方法 [P].

马万里 .

中国专利 :CN105448980B ,2016-03-30

[6]

一种屏蔽栅沟槽VDMOS器件 [P].

单亚东 ;

胡丹 ;

谢刚 .

中国专利 :CN220692030U ,2024-03-29

[7]

一种VDMOS器件的制作方法及VDMOS器件 [P].

马万里 .

中国专利 :CN105225952A ,2016-01-06

[8]

一种改进栅结构的槽栅VDMOS器件 [P].

涂俊杰 ;

顾航 ;

高巍 ;

戴茂州 .

中国专利 :CN112802903A ,2021-05-14

[9]

低电容的沟槽型VDMOS器件 [P].

夏亮 ;

完颜文娟 ;

杨科 .

中国专利 :CN211017087U ,2020-07-14

[10]

沟槽型VDMOS器件的制备方法 [P].

赵圣哲 .

中国专利 :CN106298891A ,2017-01-04

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