一种降低低压Trench DMOS导通电阻的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610880212.2

申请日：

2016-10-09

公开(公告)号：

CN106298946A

公开(公告)日：

2017-01-04

发明(设计)人：

朱袁正叶鹏王根毅周永珍

申请人：

申请人地址：

214131 江苏省无锡市滨湖区高浪东路999号（与华清路交叉口）无锡（滨湖）国家信息传感中心-B1楼东侧2楼

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2910 H01L21336

代理机构：

无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104

代理人：

曹祖良

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-02-01	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101700836475 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:2016108802122 申请日:20161009
2020-06-19	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 29/78 申请公布日:20170104
2017-01-04	公开	公开

共 50 条

[1]

一种低导通电阻的沟槽MOSFET器件及其制造方法 [P].

殷允超 ;

周祥瑞 .

中国专利 :CN108649072B ,2024-02-02

[2]

一种低导通电阻的沟槽MOSFET器件及其制造方法 [P].

殷允超 ;

周祥瑞 .

中国专利 :CN108649072A ,2018-10-12

[3]

一种降低导通电阻的Trench MOSFET结构 [P].

胡盖 ;

黄传伟 ;

夏华秋 ;

谈益民 .

中国专利 :CN214043678U ,2021-08-24

[4]

一种降低导通电阻的Trench MOSFET结构 [P].

胡盖 ;

黄传伟 ;

夏华秋 ;

诸建周 ;

吕文生 .

中国专利 :CN113013247A ,2021-06-22

[5]

一种降低导通电阻的功率半导体器件及制造方法 [P].

朱袁正 ;

周锦程 .

中国专利 :CN107342326A ,2017-11-10

[6]

具有低导通电阻的超结MOSFET及制造方法 [P].

姜鹏 ;

张海涛 .

中国专利 :CN112736133A ,2021-04-30

[7]

降低沟槽型VDMOS的导通电阻的方法 [P].

闻正锋 ;

邱海亮 ;

马万里 ;

赵文魁 .

中国专利 :CN106158655A ,2016-11-23

[8]

一种降低导通电阻的功率半导体器件 [P].

朱袁正 ;

周锦程 .

中国专利 :CN206976352U ,2018-02-06

[9]

降低导通电阻的功率晶体管结构 [P].

朱袁正 ;

叶鹏 ;

周锦程 ;

刘晶晶 ;

杨卓 .

中国专利 :CN113471279B ,2021-10-01

[10]

一种降低trench DMOS栅电容的制造方法 [P].

廖远宝 ;

徐政 ;

吴锦波 ;

徐海铭 .

中国专利 :CN112071750B ,2020-12-11

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