降低导通电阻的功率晶体管结构

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110727519.X

申请日：

2021-06-29

公开(公告)号：

CN113471279B

公开(公告)日：

2021-10-01

发明(设计)人：

朱袁正叶鹏周锦程刘晶晶杨卓

申请人：

申请人地址：

214000 江苏省无锡市高浪东路999号B1号楼2层

IPC主分类号：

H01L29423

IPC分类号：

H01L2978 H01L2128 H01L21336

代理机构：

无锡市兴为专利代理事务所(特殊普通合伙) 32517

代理人：

屠志力

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-10-26	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/423 申请日:20210629
2022-06-28	授权	授权
2021-10-01	公开	公开

共 50 条

[1]

降低功率晶体管导通电阻的方法 [P].

廖奇泊 ;

陈俊峰 ;

周雯 .

中国专利 :CN104538308A ,2015-04-22

[2]

降低高功率晶体管导通电阻的方法 [P].

简凤佐 ;

涂高维 ;

苏世宗 ;

董正晖 ;

李铭钦 ;

简铎钦 .

中国专利 :CN1464539A ,2003-12-31

[3]

低导通电阻功率VDMOS晶体管的制造方法 [P].

张正元 ;

冯志成 ;

刘玉奎 ;

胡明雨 ;

郑纯 .

中国专利 :CN101150069A ,2008-03-26

[4]

MOS结构的功率晶体管 [P].

张景超 ;

刘利峰 ;

刘清军 ;

赵善麒 .

中国专利 :CN201174384Y ,2008-12-31

[5]

功率晶体管的制造方法 [P].

韩峰 ;

段文婷 .

中国专利 :CN102956491A ,2013-03-06

[6]

功率晶体管的制作方法 [P].

韩峰 ;

段文婷 .

中国专利 :CN102956488A ,2013-03-06

[7]

晶体管装置和用于测量晶体管装置的导通电阻的方法 [P].

曾光 ;

D·彼得斯 .

德国专利 :CN119866058A ,2025-04-22

[8]

双栅MOS结构的功率晶体管 [P].

张景超 ;

戚丽娜 ;

刘利峰 ;

王晓宝 ;

赵善麒 .

中国专利 :CN203774335U ,2014-08-13

[9]

功率晶体管 [P].

杨东林 ;

陈文高 ;

秦旭光 ;

刘侠 .

中国专利 :CN118712209A ,2024-09-27

[10]

功率晶体管 [P].

杨东林 ;

陈文高 ;

秦旭光 ;

刘侠 .

中国专利 :CN118782637A ,2024-10-15

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