功率晶体管的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110242589.2

申请日：

2011-08-23

公开(公告)号：

CN102956491A

公开(公告)日：

2013-03-06

发明(设计)人：

韩峰段文婷

申请人：

申请人地址：

201206 上海市浦东新区川桥路1188号

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L21331

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

丁纪铁

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-02-04	授权	授权
2013-03-06	公开	公开
2014-02-05	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101689091001 IPC(主分类):H01L 21/336 专利申请号:2011102425892 变更事项:申请人变更前权利人:上海华虹NEC电子有限公司变更后权利人:上海华虹宏力半导体制造有限公司变更事项:地址变更前权利人:201206 上海市浦东新区川桥路1188号变更后权利人:201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号登记生效日:20140107
2013-04-03	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101430520942 IPC(主分类):H01L 21/336 专利申请号:2011102425892 申请日:20110823

共 50 条

[1]

隔离型功率晶体管的制造方法 [P].

韩峰 ;

段文婷 .

中国专利 :CN102956487A ,2013-03-06

[2]

功率晶体管的制作方法 [P].

韩峰 ;

段文婷 .

中国专利 :CN102956488A ,2013-03-06

[3]

沟槽晶体管的制造方法 [P].

韩峰 ;

段文婷 .

中国专利 :CN102956489B ,2013-03-06

[4]

功率晶体管的制造方法和功率晶体管 [P].

马万里 .

中国专利 :CN104835739B ,2015-08-12

[5]

功率晶体管的制造方法 [P].

李学会 .

中国专利 :CN105551944A ,2016-05-04

[6]

功率晶体管 [P].

杨东林 ;

陈文高 ;

秦旭光 ;

刘侠 .

中国专利 :CN118712209A ,2024-09-27

[7]

功率晶体管 [P].

杨东林 ;

陈文高 ;

秦旭光 ;

刘侠 .

中国专利 :CN118782637A ,2024-10-15

[8]

功率晶体管和用于制造功率晶体管的方法 [P].

J·巴林豪斯 .

德国专利 :CN120456593A ,2025-08-08

[9]

半导体功率晶体管及其制造方法 [P].

刘伟 ;

袁愿林 ;

毛振东 ;

刘磊 .

中国专利 :CN111146285A ,2020-05-12

[10]

MOS结构的功率晶体管 [P].

张景超 ;

刘利峰 ;

刘清军 ;

赵善麒 .

中国专利 :CN201174384Y ,2008-12-31

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