降低高功率晶体管导通电阻的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN02122490.0

申请日：

2002-06-05

公开(公告)号：

CN1464539A

公开(公告)日：

2003-12-31

发明(设计)人：

简凤佐涂高维苏世宗董正晖李铭钦简铎钦

申请人：

申请人地址：

台湾省台北市中山区中山北路二段42号8楼

IPC主分类号：

H01L21328

IPC分类号：

H01L21334

代理机构：

北京三幸商标专利事务所

代理人：

刘激扬

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2003-12-31	公开	公开
2006-02-15	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回

共 50 条

[1]

降低功率晶体管导通电阻的方法 [P].

廖奇泊 ;

陈俊峰 ;

周雯 .

中国专利 :CN104538308A ,2015-04-22

[2]

降低导通电阻的功率晶体管结构 [P].

朱袁正 ;

叶鹏 ;

周锦程 ;

刘晶晶 ;

杨卓 .

中国专利 :CN113471279B ,2021-10-01

[3]

低导通电阻功率VDMOS晶体管的制造方法 [P].

张正元 ;

冯志成 ;

刘玉奎 ;

胡明雨 ;

郑纯 .

中国专利 :CN101150069A ,2008-03-26

[4]

晶体管装置和用于测量晶体管装置的导通电阻的方法 [P].

曾光 ;

D·彼得斯 .

德国专利 :CN119866058A ,2025-04-22

[5]

高功率晶体管 [P].

阿兰姆·姆希塔良 ;

文森特·恩戈 .

中国专利 :CN109844956B ,2019-06-04

[6]

一种降低导通电阻且提高焊接质量的VDMOS晶体管 [P].

姚金才 .

中国专利 :CN209729913U ,2019-12-03

[7]

一种低导通电阻的功率MOS晶体管器件及其制备方法 [P].

苏毅 ;

伍时谦 ;

安荷·叭剌 ;

鲁军 .

中国专利 :CN103021858A ,2013-04-03

[8]

低比导通电阻的横向双极型晶体管 [P].

张作钦 ;

崔京京 .

中国专利 :CN103681815A ,2014-03-26

[9]

低导通电阻的高电压金属氧化物半导体晶体管 [P].

文南七 ;

金庭模 ;

翁向扬 ;

R·V·普拉克赫 .

中国专利 :CN110176486B ,2019-08-27

[10]

功率晶体管的制造方法和功率晶体管 [P].

马万里 .

中国专利 :CN104835739B ,2015-08-12

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