降低功率晶体管导通电阻的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410843907.4

申请日：

2014-12-25

公开(公告)号：

CN104538308A

公开(公告)日：

2015-04-22

发明(设计)人：

廖奇泊陈俊峰周雯

申请人：

申请人地址：

200233 上海市徐汇区虹漕路461号56幢8层E室

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

代理机构：

上海汉声知识产权代理有限公司 31236

代理人：

郭国中

法律状态：

专利申请权、专利权的转移

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-03-22	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101748913032 IPC(主分类):H01L 21/336 专利申请号:2014108439074 登记生效日:20170303 变更事项:申请人变更前权利人:上海芯亮电子科技有限公司变更后权利人:厦门讯扬电子科技有限公司变更事项:地址变更前权利人:200233 上海市徐汇区虹漕路461号56幢8层E室变更后权利人:361100 福建省厦门市同安工业集中区同安园268-269号
2015-04-22	公开	公开
2015-05-20	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101609915406 IPC(主分类):H01L 21/336 专利申请号:2014108439074 申请日:20141225
2019-03-15	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 21/336 申请公布日:20150422

共 50 条

[1]

降低导通电阻的功率晶体管结构 [P].

朱袁正 ;

叶鹏 ;

周锦程 ;

刘晶晶 ;

杨卓 .

中国专利 :CN113471279B ,2021-10-01

[2]

降低高功率晶体管导通电阻的方法 [P].

简凤佐 ;

涂高维 ;

苏世宗 ;

董正晖 ;

李铭钦 ;

简铎钦 .

中国专利 :CN1464539A ,2003-12-31

[3]

低导通电阻功率VDMOS晶体管的制造方法 [P].

张正元 ;

冯志成 ;

刘玉奎 ;

胡明雨 ;

郑纯 .

中国专利 :CN101150069A ,2008-03-26

[4]

功率晶体管的制造方法和功率晶体管 [P].

马万里 .

中国专利 :CN104835739B ,2015-08-12

[5]

晶体管装置和用于测量晶体管装置的导通电阻的方法 [P].

曾光 ;

D·彼得斯 .

德国专利 :CN119866058A ,2025-04-22

[6]

一种低导通电阻的功率MOS晶体管器件及其制备方法 [P].

苏毅 ;

伍时谦 ;

安荷·叭剌 ;

鲁军 .

中国专利 :CN103021858A ,2013-04-03

[7]

一种低特征导通电阻的集成型沟槽栅功率半导体晶体管 [P].

刘斯扬 ;

吴团庄 ;

吝晓楠 ;

李仁伟 ;

童鑫 ;

孙伟锋 ;

时龙兴 .

中国专利 :CN114050187A ,2022-02-15

[8]

可降低导通电阻的功率半导体结构及其制造方法 [P].

林仪宇 .

中国专利 :CN1964068A ,2007-05-16

[9]

功率晶体管的制造方法 [P].

李学会 .

中国专利 :CN105551944A ,2016-05-04

[10]

功率晶体管的制造方法 [P].

韩峰 ;

段文婷 .

中国专利 :CN102956491A ,2013-03-06

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