可降低导通电阻的功率半导体结构及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200510120247.8

申请日：

2005-11-09

公开(公告)号：

CN1964068A

公开(公告)日：

2007-05-16

发明(设计)人：

林仪宇

申请人：

申请人地址：

中国台湾台北县新店市

IPC主分类号：

H01L29772

IPC分类号：

H01L21335

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司

代理人：

谢丽娜;陈肖梅

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2007-07-18	实质审查的生效	实质审查的生效
2009-04-22	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回
2007-05-16	公开	公开

共 50 条

[1]

低导通电阻的半导体装置及其制造方法 [P].

陈永初 ;

吴锡垣 .

中国专利 :CN104051499A ,2014-09-17

[2]

低导通电阻功率半导体组件 [P].

李柏贤 ;

杨国良 .

中国专利 :CN105702722B ,2016-06-22

[3]

一种降低导通电阻的功率半导体器件及制造方法 [P].

朱袁正 ;

周锦程 .

中国专利 :CN107342326A ,2017-11-10

[4]

降低功率晶体管导通电阻的方法 [P].

廖奇泊 ;

陈俊峰 ;

周雯 .

中国专利 :CN104538308A ,2015-04-22

[5]

一种降低导通电阻的功率半导体器件 [P].

朱袁正 ;

周锦程 .

中国专利 :CN206976352U ,2018-02-06

[6]

具有低导通电阻的半导体器件结构及其制造方法 [P].

张在亨 ;

池熺奂 ;

孙振荣 .

中国专利 :CN108695389B ,2018-10-23

[7]

降低导通电阻的功率晶体管结构 [P].

朱袁正 ;

叶鹏 ;

周锦程 ;

刘晶晶 ;

杨卓 .

中国专利 :CN113471279B ,2021-10-01

[8]

低导通电阻半导体功率器件及其制备方法 [P].

李科 ;

杨同同 ;

苟学鑫 ;

张文鑫 ;

曹学文 ;

颜天才 ;

杨列勇 ;

陈为玉 .

中国专利 :CN118943006A ,2024-11-12

[9]

包括降低导通电阻的分段支撑屏蔽结构的功率半导体装置的掩埋屏蔽结构及相关制造方法 [P].

M·萨姆帕斯 ;

N·伊斯拉米 ;

W·基姆 ;

柳世衡 ;

D·J·里克腾沃纳 .

美国专利 :CN120836200A ,2025-10-24

[10]

一种降低导通电阻的功率半导体器件结构及其制备方法 [P].

李钊君 ;

田鸿昌 ;

何晓宁 ;

陈晓炜 ;

弓小武 .

中国专利 :CN112951907A ,2021-06-11

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