一种降低导通电阻的功率半导体器件及制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710536741.5

申请日：

2017-07-04

公开(公告)号：

CN107342326A

公开(公告)日：

2017-11-10

发明(设计)人：

朱袁正周锦程

申请人：

申请人地址：

214131 江苏省无锡市滨湖区高浪东路999号（与华清路交叉口）无锡（滨湖）国家信息传感中心-B1楼东侧2楼

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L29739 H01L21336 H01L21331 H01L2906

代理机构：

无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104

代理人：

曹祖良

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-12-05	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20170704
2017-11-10	公开	公开

共 50 条

[1]

一种降低导通电阻的功率半导体器件 [P].

朱袁正 ;

周锦程 .

中国专利 :CN206976352U ,2018-02-06

[2]

一种降低导通电阻的功率半导体器件结构及其制备方法 [P].

李钊君 ;

田鸿昌 ;

何晓宁 ;

陈晓炜 ;

弓小武 .

中国专利 :CN112951907A ,2021-06-11

[3]

一种低导通电阻功率半导体器件 [P].

刘斯扬 ;

戴志刚 ;

吴其祥 ;

叶然 ;

徐志远 ;

孙伟锋 ;

陆生礼 ;

时龙兴 .

中国专利 :CN107910357A ,2018-04-13

[4]

低导通电阻沟槽型功率半导体器件的制备方法 [P].

胡盖 ;

夏华秋 ;

夏华忠 ;

黄传伟 ;

李健 ;

诸建周 .

中国专利 :CN112838010A ,2021-05-25

[5]

可降低导通电阻的功率半导体结构及其制造方法 [P].

林仪宇 .

中国专利 :CN1964068A ,2007-05-16

[6]

一种低比导通电阻的功率半导体器件 [P].

乔明 ;

梁龙飞 ;

吕怡蕾 ;

齐钊 ;

张波 .

中国专利 :CN111312707A ,2020-06-19

[7]

能降低接触电阻的功率半导体器件及制备方法 [P].

安俊杰 ;

金波 ;

朱琦 ;

陈宗琪 .

中国专利 :CN118571939A ,2024-08-30

[8]

一种可降低导通电阻并增加安全工作区的功率半导体器件制备方法 [P].

张弦 ;

弓小武 ;

田鸿昌 ;

何晓宁 ;

陈晓炜 .

中国专利 :CN111463132A ,2020-07-28

[9]

能降低接触电阻的功率半导体器件及制备方法 [P].

安俊杰 ;

金波 ;

朱琦 ;

陈宗琪 .

中国专利 :CN118571939B ,2025-02-18

[10]

一种降低导通电阻和增加安全工作区的功率半导体器件结构 [P].

弓小武 ;

张弦 ;

田鸿昌 ;

何晓宁 ;

陈晓炜 .

中国专利 :CN111463271A ,2020-07-28

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