一种降低导通电阻的Trench MOSFET结构

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110011382.8

申请日：

2021-01-06

公开(公告)号：

CN113013247A

公开(公告)日：

2021-06-22

发明(设计)人：

胡盖黄传伟夏华秋诸建周吕文生

申请人：

申请人地址：

214142 江苏省无锡市新吴区硕放街道中通东路88号

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L29423

代理机构：

苏州谨和知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32295

代理人：

叶栋

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-07-09	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20210106
2021-06-22	公开	公开

共 50 条

[1]

一种降低导通电阻的Trench MOSFET结构 [P].

胡盖 ;

黄传伟 ;

夏华秋 ;

谈益民 .

中国专利 :CN214043678U ,2021-08-24

[2]

降低导通电阻的平面SiC MOSFET结构 [P].

汪志刚 ;

黄孝兵 ;

余建祖 ;

张卓 ;

熊琴 ;

钟驰宇 .

中国专利 :CN118380470A ,2024-07-23

[3]

降低起始电压及导通电阻的MOSFET组件 [P].

廖奇泊 ;

陈俊峰 ;

周雯 .

中国专利 :CN204857733U ,2015-12-09

[4]

降低起始电压及导通电阻的MOSFET组件 [P].

廖奇泊 ;

陈俊峰 ;

周雯 .

中国专利 :CN105161537A ,2015-12-16

[5]

一种低导通电阻MOSFET器件结构 [P].

张海峰 ;

宋宁 ;

朱小燕 ;

刘中梦雪 .

中国专利 :CN117727783A ,2024-03-19

[6]

具有降低的导通电阻的SiC MOSFET [P].

R·西米尼克 ;

T·艾辛格 ;

R·K·乔希 ;

W·舒斯特雷德 .

中国专利 :CN114944329A ,2022-08-26

[7]

一种降低导通电阻的屏蔽栅沟槽功率MOSFET结构及其制备方法 [P].

张军亮 ;

陈利 ;

陈译 ;

姜帆 ;

刘玉山 .

中国专利 :CN110223919A ,2019-09-10

[8]

一种降低低压Trench DMOS导通电阻的制造方法 [P].

朱袁正 ;

叶鹏 ;

王根毅 ;

周永珍 .

中国专利 :CN106298946A ,2017-01-04

[9]

低导通电阻的深沟槽MOSFET器件结构 [P].

李恩求 ;

李铁生 ;

杨乐 ;

刘琦 .

中国专利 :CN112271213A ,2021-01-26

[10]

具有降低的导通电阻的沟槽型功率 MOSFET [P].

克里斯托夫·L·雷克塞尔 ;

瑞图·索迪 .

中国专利 :CN102623500A ,2012-08-01

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