具有低导通电阻的超结MOSFET及制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110040147.3

申请日：

2021-01-13

公开(公告)号：

CN112736133A

公开(公告)日：

2021-04-30

发明(设计)人：

姜鹏张海涛

申请人：

申请人地址：

214135 江苏省无锡市新区菱湖大道200号中国传感网国际创新园D2栋四层

IPC主分类号：

H01L2906

IPC分类号：

H01L2978 H01L21336

代理机构：

无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104

代理人：

曹祖良;涂三民

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-05-21	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/06 申请日:20210113
2021-04-30	公开	公开

共 50 条

[1]

具有低导通电阻的超结MOSFET [P].

姜鹏 ;

张海涛 .

中国专利 :CN214753770U ,2021-11-16

[2]

一种低导通电阻的沟槽MOSFET器件及其制造方法 [P].

殷允超 ;

周祥瑞 .

中国专利 :CN108649072B ,2024-02-02

[3]

一种低导通电阻的沟槽MOSFET器件及其制造方法 [P].

殷允超 ;

周祥瑞 .

中国专利 :CN108649072A ,2018-10-12

[4]

具有低特征导通电阻的功率MOSFET器件及其制造方法 [P].

朱袁正 ;

叶鹏 .

中国专利 :CN104241386A ,2014-12-24

[5]

具有低特征导通电阻的功率MOSFET器件 [P].

朱袁正 ;

叶鹏 .

中国专利 :CN204102907U ,2015-01-14

[6]

低栅极电荷低导通电阻深沟槽功率MOSFET器件及其制造方法 [P].

朱袁正 ;

秦旭光 ;

丁磊 ;

叶鹏 .

中国专利 :CN102263133B ,2011-11-30

[7]

具有低导通电阻沟槽MOSFET器件及其制备方法 [P].

葛伟 ;

丁磊 ;

滕支刚 .

中国专利 :CN121078772A ,2025-12-05

[8]

低栅极电荷低导通电阻深沟槽功率MOSFET器件 [P].

朱袁正 ;

秦旭光 ;

丁磊 ;

叶鹏 .

中国专利 :CN202205757U ,2012-04-25

[9]

具有低导通电阻的高电压功率MOSFET [P].

理查德·A·布朗夏尔 .

中国专利 :CN101567384A ,2009-10-28

[10]

具有低导通电阻的高电压功率MOSFET [P].

理查德·A·布朗夏尔 .

中国专利 :CN100463122C ,2005-11-23

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