超低导通电阻分离栅MOSFET器件

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN202020289948.4

申请日：

2020-03-10

公开(公告)号：

CN211295111U

公开(公告)日：

2020-08-18

发明(设计)人：

刘锋殷允超刘秀梅

申请人：

申请人地址：

226200 江苏省南通市启东科技创业园兴龙路8号

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L29423 H01L21336

代理机构：

无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104

代理人：

曹祖良;涂三民

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-08-18	授权	授权

共 50 条

[1]

超低导通电阻分离栅MOSFET器件及其制造方法 [P].

刘锋 ;

殷允超 ;

刘秀梅 .

中国专利 :CN111312823A ,2020-06-19

[2]

超低导通电阻分离栅MOSFET器件及其制造方法 [P].

刘锋 ;

殷允超 ;

刘秀梅 .

中国专利 :CN111312823B ,2024-08-09

[3]

一种低导通电阻分离栅MOSFET芯片及其制造方法 [P].

吴昊 ;

陆亚斌 ;

王成 .

中国专利 :CN115332337A ,2022-11-11

[4]

低导通电阻MOSFET半导体器件 [P].

陈译 ;

陆佳顺 ;

杨洁雯 .

中国专利 :CN216698364U ,2022-06-07

[5]

一种低导通电阻MOSFET器件结构 [P].

张海峰 ;

宋宁 ;

朱小燕 ;

刘中梦雪 .

中国专利 :CN117727783A ,2024-03-19

[6]

具有低特征导通电阻的功率MOSFET器件 [P].

朱袁正 ;

叶鹏 .

中国专利 :CN204102907U ,2015-01-14

[7]

一种分离栅MOSFET器件结构 [P].

殷允超 ;

周祥瑞 ;

刘锋 .

中国专利 :CN208400855U ,2019-01-18

[8]

具有低比导通电阻的分离栅VDMOS器件及制造方法 [P].

章文通 ;

叶力 ;

何俊卿 ;

林祺 ;

李珂 ;

李洁 ;

乔明 ;

张波 .

中国专利 :CN109087952A ,2018-12-25

[9]

具有低比导通电阻的分离栅VDMOS器件及其制造方法 [P].

章文通 ;

叶力 ;

方冬 ;

李珂 ;

林祺 ;

乔明 ;

张波 .

中国专利 :CN109148587A ,2019-01-04

[10]

一种分离栅MOSFET器件 [P].

原小明 .

中国专利 :CN209515675U ,2019-10-18

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