学术探索
学术期刊
学术作者
新闻热点
数据分析
智能评审

一种低导通电阻分离栅MOSFET芯片及其制造方法

被引：0
申请号：
CN202210896569.5
申请日：
2022-07-28
公开(公告)号：
CN115332337A
公开(公告)日：
2022-11-11
发明(设计)人：
吴昊 陆亚斌 王成
申请人：
申请人地址：
518000 广东省深圳市宝安区新安街道龙井二路3号中粮大厦1603B
IPC主分类号：
H01L2978
IPC分类号：
H01L21336 H01L2906 H01L29423
代理机构：
苏州荣谷知识产权代理事务所(普通合伙) 32612
代理人：
韩国辉
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
引用
下载
收藏
法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2022-11-29 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20220728
2022-11-11 公开 公开
共 50 条
[1]
超低导通电阻分离栅MOSFET器件及其制造方法 [P]. 
刘锋 ;
殷允超 ;
刘秀梅 .
中国专利 :CN111312823A ,2020-06-19
[2]
超低导通电阻分离栅MOSFET器件及其制造方法 [P]. 
刘锋 ;
殷允超 ;
刘秀梅 .
中国专利 :CN111312823B ,2024-08-09
[3]
一种低比导通电阻的分立栅MOSFET器件及其制造方法 [P]. 
易波 ;
伍争 .
中国专利 :CN113410309A ,2021-09-17
[4]
超低导通电阻分离栅MOSFET器件 [P]. 
刘锋 ;
殷允超 ;
刘秀梅 .
中国专利 :CN211295111U ,2020-08-18
[5]
一种低导通电阻MOSFET器件结构 [P]. 
张海峰 ;
宋宁 ;
朱小燕 ;
刘中梦雪 .
中国专利 :CN117727783A ,2024-03-19
[6]
一种低导通电阻的沟槽MOSFET器件及其制造方法 [P]. 
殷允超 ;
周祥瑞 .
中国专利 :CN108649072B ,2024-02-02
[7]
一种低导通电阻的沟槽MOSFET器件及其制造方法 [P]. 
殷允超 ;
周祥瑞 .
中国专利 :CN108649072A ,2018-10-12
[8]
具有低导通电阻沟槽MOSFET器件及其制备方法 [P]. 
葛伟 ;
丁磊 ;
滕支刚 .
中国专利 :CN121078772A ,2025-12-05
[9]
具有低比导通电阻的分离栅VDMOS器件及其制造方法 [P]. 
章文通 ;
叶力 ;
方冬 ;
李珂 ;
林祺 ;
乔明 ;
张波 .
中国专利 :CN109148587A ,2019-01-04
[10]
一种低导通电阻分裂栅功率MOSFET结构和制造方法 [P]. 
黄子伦 ;
焦世龙 .
中国专利 :CN119545867A ,2025-02-28
12345