具有低比导通电阻的分离栅VDMOS器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810968880.X

申请日：

2018-08-23

公开(公告)号：

CN109148587A

公开(公告)日：

2019-01-04

发明(设计)人：

章文通叶力方冬李珂林祺乔明张波

申请人：

申请人地址：

611731 四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2936 H01L21336

代理机构：

成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232

代理人：

敖欢;葛启函

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-01-04	公开	公开
2021-11-26	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 29/78 申请公布日:20190104
2019-01-29	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20180823

共 50 条

[1]

具有低比导通电阻的分离栅VDMOS器件及制造方法 [P].

章文通 ;

叶力 ;

何俊卿 ;

林祺 ;

李珂 ;

李洁 ;

乔明 ;

张波 .

中国专利 :CN109087952A ,2018-12-25

[2]

具有体内场板的分离栅VDMOS器件及其制造方法 [P].

章文通 ;

叶力 ;

方冬 ;

林祺 ;

李珂 ;

胡云鹤 ;

乔明 ;

张波 .

中国专利 :CN109119476A ,2019-01-01

[3]

具有体内场板的分离栅VDMOS器件及其制造方法 [P].

章文通 ;

叶力 ;

方冬 ;

李珂 ;

林祺 ;

乔明 ;

张波 .

中国专利 :CN109326639A ,2019-02-12

[4]

一种低比导通电阻的分立栅MOSFET器件及其制造方法 [P].

易波 ;

伍争 .

中国专利 :CN113410309A ,2021-09-17

[5]

具有低比导通电阻的槽型器件及其制造方法 [P].

章文通 ;

何俊卿 ;

杨昆 ;

王睿 ;

乔明 ;

王卓 ;

张波 ;

李肇基 .

中国专利 :CN110444591A ,2019-11-12

[6]

具有低比导通电阻的横向高压器件 [P].

周锌 ;

赵凯 ;

马阔 ;

王睿迪 ;

乔明 ;

张波 .

中国专利 :CN109411540A ,2019-03-01

[7]

一种低导通电阻的中低压平面栅VDMOS器件及其制造工艺 [P].

许剑 ;

钟传杰 ;

刘桂芝 .

中国专利 :CN110957371A ,2020-04-03

[8]

一种具有低比导通电阻的横向高压器件 [P].

周锌 ;

赵凯 ;

马阔 ;

王睿迪 ;

乔明 ;

张波 .

中国专利 :CN109411541A ,2019-03-01

[9]

超低导通电阻分离栅MOSFET器件及其制造方法 [P].

刘锋 ;

殷允超 ;

刘秀梅 .

中国专利 :CN111312823A ,2020-06-19

[10]

超低导通电阻分离栅MOSFET器件及其制造方法 [P].

刘锋 ;

殷允超 ;

刘秀梅 .

中国专利 :CN111312823B ,2024-08-09

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