具有体内场板的分离栅VDMOS器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810967996.1

申请日：

2018-08-23

公开(公告)号：

CN109326639A

公开(公告)日：

2019-02-12

发明(设计)人：

章文通叶力方冬李珂林祺乔明张波

申请人：

申请人地址：

611731 四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号

IPC主分类号：

H01L2940

IPC分类号：

H01L29423 H01L2978 H01L21336 H01L2128

代理机构：

成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232

代理人：

敖欢;葛启函

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-03-08	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/40 申请日:20180823
2019-02-12	公开	公开
2021-11-23	授权	授权

共 50 条

[1]

具有体内场板的分离栅VDMOS器件及其制造方法 [P].

章文通 ;

叶力 ;

方冬 ;

林祺 ;

李珂 ;

胡云鹤 ;

乔明 ;

张波 .

中国专利 :CN109119476A ,2019-01-01

[2]

具有低比导通电阻的分离栅VDMOS器件及其制造方法 [P].

章文通 ;

叶力 ;

方冬 ;

李珂 ;

林祺 ;

乔明 ;

张波 .

中国专利 :CN109148587A ,2019-01-04

[3]

具有体内场板结构的VDMOS器件 [P].

任敏 ;

李佳驹 ;

林育赐 ;

罗蕾 ;

谢驰 ;

李泽宏 ;

张波 .

中国专利 :CN107068758A ,2017-08-18

[4]

一种分离栅VDMOS器件及制造方法 [P].

乔明 ;

钟涛 ;

张泽奇 ;

方冬 ;

刘文良 ;

张波 .

中国专利 :CN113594257A ,2021-11-02

[5]

具有高沟道密度的分离栅VDMOS器件及制造方法 [P].

章文通 ;

何俊卿 ;

杨昆 ;

王睿 ;

乔明 ;

王卓 ;

张波 ;

李肇基 .

中国专利 :CN110491935A ,2019-11-22

[6]

沟槽分离栅器件及其制造方法 [P].

方冬 ;

卞铮 .

中国专利 :CN110310992B ,2019-10-08

[7]

具有低比导通电阻的分离栅VDMOS器件及制造方法 [P].

章文通 ;

叶力 ;

何俊卿 ;

林祺 ;

李珂 ;

李洁 ;

乔明 ;

张波 .

中国专利 :CN109087952A ,2018-12-25

[8]

具有高可靠性的分离栅VDMOS器件及其制造方法 [P].

王卓 ;

祖健 ;

朱旭晗 ;

章文通 ;

方冬 ;

乔明 ;

李肇基 ;

张波 .

中国专利 :CN111969051B ,2020-11-20

[9]

沟槽栅功率器件及其制造方法 [P].

李东升 .

中国专利 :CN111370463A ,2020-07-03

[10]

具有纵向浮空场板的器件及其制造方法 [P].

章文通 ;

何俊卿 ;

杨昆 ;

王睿 ;

张森 ;

乔明 ;

张波 ;

李肇基 .

中国专利 :CN110459602A ,2019-11-15

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