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具有纵向浮空场板的器件及其制造方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201910819933.6
申请日：
2019-08-31
公开(公告)号：
CN110459602A
公开(公告)日：
2019-11-15
发明(设计)人：
章文通 何俊卿 杨昆 王睿 张森 乔明 张波 李肇基
申请人：
申请人地址：
611731 四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号
IPC主分类号：
H01L2940
IPC分类号：
H01L2128
代理机构：
成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232
代理人：
敖欢
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2019-11-15 公开 公开
2020-12-29 发明专利申请公布后的撤回 发明专利申请公布后的撤回 IPC(主分类):H01L 29/40 申请公布日:20191115
2019-12-10 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/40 申请日:20190831
共 50 条
[1]
具有深埋层的纵向浮空场板器件及制造方法 [P]. 
章文通 ;
何俊卿 ;
杨昆 ;
王睿 ;
张森 ;
乔明 ;
张波 ;
李肇基 .
中国专利 :CN110459599B ,2019-11-15
[2]
具有电荷平衡耐压层的纵向浮空场板器件及其制造方法 [P]. 
章文通 ;
何俊卿 ;
杨昆 ;
王睿 ;
张森 ;
乔明 ;
张波 ;
李肇基 .
中国专利 :CN110518059A ,2019-11-29
[3]
具有等势浮空槽的低阻器件及其制造方法 [P]. 
章文通 ;
祖健 ;
朱旭晗 ;
乔明 ;
李肇基 ;
张波 .
中国专利 :CN112164719A ,2021-01-01
[4]
具有体内场板的分离栅VDMOS器件及其制造方法 [P]. 
章文通 ;
叶力 ;
方冬 ;
林祺 ;
李珂 ;
胡云鹤 ;
乔明 ;
张波 .
中国专利 :CN109119476A ,2019-01-01
[5]
具有体内场板的分离栅VDMOS器件及其制造方法 [P]. 
章文通 ;
叶力 ;
方冬 ;
李珂 ;
林祺 ;
乔明 ;
张波 .
中国专利 :CN109326639A ,2019-02-12
[6]
具有阶梯分立屏蔽槽的低栅电荷器件及其制造方法 [P]. 
章文通 ;
朱旭晗 ;
祖健 ;
乔明 ;
李肇基 ;
张波 .
中国专利 :CN112382658B ,2021-02-19
[7]
具有垂直浮空场板的LDMOS晶体管及其制备方法 [P]. 
季明华 ;
李敏 .
中国专利 :CN114335163A ,2022-04-12
[8]
具有垂直浮空场板的LDMOS晶体管及其制备方法 [P]. 
季明华 ;
李敏 .
中国专利 :CN114335163B ,2025-03-25
[9]
沟槽栅功率器件及其制造方法 [P]. 
李东升 .
中国专利 :CN111370463A ,2020-07-03
[10]
具有低比导通电阻的分离栅VDMOS器件及其制造方法 [P]. 
章文通 ;
叶力 ;
方冬 ;
李珂 ;
林祺 ;
乔明 ;
张波 .
中国专利 :CN109148587A ,2019-01-04
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