具有阶梯分立屏蔽槽的低栅电荷器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010890066.8

申请日：

2020-08-28

公开(公告)号：

CN112382658B

公开(公告)日：

2021-02-19

发明(设计)人：

章文通朱旭晗祖健乔明李肇基张波

申请人：

申请人地址：

611731 四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号

IPC主分类号：

H01L2940

IPC分类号：

H01L2978 H01L21336

代理机构：

成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232

代理人：

敖欢

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-08-24	授权	授权
2021-03-09	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/40 申请日:20200828
2021-02-19	公开	公开

共 50 条

[1]

具有等势浮空槽的低阻器件及其制造方法 [P].

章文通 ;

祖健 ;

朱旭晗 ;

乔明 ;

李肇基 ;

张波 .

中国专利 :CN112164719A ,2021-01-01

[2]

一种低比导通电阻的分立栅MOSFET器件及其制造方法 [P].

易波 ;

伍争 .

中国专利 :CN113410309A ,2021-09-17

[3]

具有场板结构的低栅电荷器件及其制造方法 [P].

吴健 .

中国专利 :CN111463263B ,2020-07-28

[4]

具有屏蔽栅的沟槽栅功率器件的制造方法 [P].

颜树范 .

中国专利 :CN105428241A ,2016-03-23

[5]

具有屏蔽栅的沟槽栅功率器件的制造方法 [P].

缪进征 ;

颜树范 .

中国专利 :CN105513971A ,2016-04-20

[6]

具有低比导通电阻的分离栅VDMOS器件及其制造方法 [P].

章文通 ;

叶力 ;

方冬 ;

李珂 ;

林祺 ;

乔明 ;

张波 .

中国专利 :CN109148587A ,2019-01-04

[7]

屏蔽栅功率器件制造方法及其功率器件 [P].

张蕾 ;

谭艳琼 ;

陈正嵘 ;

丁佳 ;

钱佳成 ;

李志国 ;

吴长明 .

中国专利 :CN113223949B ,2021-08-06

[8]

具有屏蔽栅的沟槽栅器件的制造方法 [P].

杨毓龙 ;

陈正嵘 ;

沈浩峰 .

中国专利 :CN110034182A ,2019-07-19

[9]

具有屏蔽栅的沟槽栅MOSFET的制造方法 [P].

李东升 .

中国专利 :CN105895516A ,2016-08-24

[10]

具有电荷平衡耐压层的纵向浮空场板器件及其制造方法 [P].

章文通 ;

何俊卿 ;

杨昆 ;

王睿 ;

张森 ;

乔明 ;

张波 ;

李肇基 .

中国专利 :CN110518059A ,2019-11-29

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