具有屏蔽栅的沟槽栅功率器件的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510992471.X

申请日：

2015-12-25

公开(公告)号：

CN105428241A

公开(公告)日：

2016-03-23

发明(设计)人：

颜树范

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L2128

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

郭四华

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-03-23	公开	公开
2016-04-20	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101656307788 IPC(主分类):H01L 21/336 专利申请号:201510992471X 申请日:20151225
2018-04-17	授权	授权

共 50 条

[1]

具有屏蔽栅的沟槽栅功率器件的制造方法 [P].

缪进征 ;

颜树范 .

中国专利 :CN105513971A ,2016-04-20

[2]

具有屏蔽栅的沟槽栅功率器件的制造方法 [P].

柯行飞 .

中国专利 :CN105957811A ,2016-09-21

[3]

具有屏蔽栅的沟槽栅器件的制造方法 [P].

范让萱 .

中国专利 :CN107017167B ,2017-08-04

[4]

沟槽栅功率器件及其制造方法 [P].

李东升 .

中国专利 :CN111370463A ,2020-07-03

[5]

屏蔽栅沟槽功率器件及其制造方法 [P].

颜树范 .

中国专利 :CN106298941A ,2017-01-04

[6]

屏蔽栅沟槽MOSFET的制造方法 [P].

颜树范 .

中国专利 :CN106057675B ,2016-10-26

[7]

屏蔽栅沟槽MOSFET的制造方法 [P].

颜树范 .

中国专利 :CN105870022A ,2016-08-17

[8]

具有屏蔽栅的沟槽栅MOSFET的制造方法 [P].

李东升 .

中国专利 :CN105895516A ,2016-08-24

[9]

屏蔽栅沟槽功率器件的制造方法 [P].

杨伟杰 ;

孟凡顺 ;

易芳 .

中国专利 :CN112838009B ,2021-05-25

[10]

屏蔽栅沟槽功率器件及其制造方法 [P].

杨亚锋 ;

石磊 .

中国专利 :CN111883592A ,2020-11-03

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