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屏蔽栅沟槽功率器件及其制造方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202010781555.X
申请日
:
2020-08-06
公开(公告)号
:
CN111883592A
公开(公告)日
:
2020-11-03
发明(设计)人
:
杨亚锋
石磊
申请人
:
申请人地址
:
201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号
IPC主分类号
:
H01L2978
IPC分类号
:
H01L29423
H01L21336
代理机构
:
上海浦一知识产权代理有限公司 31211
代理人
:
郭四华
法律状态
:
公开
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2020-11-03
公开
公开
2020-11-20
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20200806
共 50 条
[1]
屏蔽栅沟槽功率器件及其制造方法
[P].
刘沙沙
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
刘沙沙
;
石磊
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
石磊
.
中国专利
:CN111883583A
,2020-11-03
[2]
屏蔽栅沟槽功率器件及其制造方法
[P].
颜树范
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
颜树范
.
中国专利
:CN106298941A
,2017-01-04
[3]
屏蔽栅沟槽功率器件及其制造方法
[P].
颜树范
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
颜树范
.
中国专利
:CN107068763A
,2017-08-18
[4]
屏蔽栅沟槽功率器件及其制造方法
[P].
颜树范
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
颜树范
.
中国专利
:CN106876279A
,2017-06-20
[5]
屏蔽栅沟槽功率器件及其制造方法
[P].
颜树范
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
颜树范
.
中国专利
:CN107507765A
,2017-12-22
[6]
沟槽栅功率器件及其制造方法
[P].
李东升
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
李东升
.
中国专利
:CN111370463A
,2020-07-03
[7]
屏蔽栅沟槽功率器件的制造方法
[P].
杨伟杰
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
杨伟杰
;
孟凡顺
论文数:
0
引用数:
0
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0
孟凡顺
;
易芳
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
易芳
.
中国专利
:CN112838009B
,2021-05-25
[8]
屏蔽栅沟槽功率MOSTET器件及其制造方法
[P].
颜树范
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
颜树范
.
中国专利
:CN107799601B
,2018-03-13
[9]
屏蔽栅沟槽功率器件及其制造方法
[P].
李东升
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
李东升
.
中国专利
:CN108511341A
,2018-09-07
[10]
屏蔽栅沟槽功率器件的制造方法
[P].
惠亚妮
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
上海华虹宏力半导体制造有限公司
上海华虹宏力半导体制造有限公司
惠亚妮
;
李秀然
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
上海华虹宏力半导体制造有限公司
上海华虹宏力半导体制造有限公司
李秀然
;
薛华瑞
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
上海华虹宏力半导体制造有限公司
上海华虹宏力半导体制造有限公司
薛华瑞
.
中国专利
:CN113410291B
,2024-05-03
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