屏蔽栅沟槽功率器件及其制造方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202010756193.9
申请日
2020-07-31
公开(公告)号
CN111883583A
公开(公告)日
2020-11-03
发明(设计)人
刘沙沙 石磊
申请人
申请人地址
201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号
IPC主分类号
H01L29423
IPC分类号
H01L2978 H01L2128 H01L21336
代理机构
上海浦一知识产权代理有限公司 31211
代理人
郭四华
法律状态
发明专利申请公布后的驳回
国省代码
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共 50 条
[1]
屏蔽栅沟槽功率器件及其制造方法 [P]. 
杨亚锋 ;
石磊 .
中国专利 :CN111883592A ,2020-11-03
[2]
屏蔽栅沟槽功率器件及其制造方法 [P]. 
颜树范 .
中国专利 :CN107068763A ,2017-08-18
[3]
屏蔽栅沟槽功率器件及其制造方法 [P]. 
颜树范 .
中国专利 :CN106876279A ,2017-06-20
[4]
屏蔽栅沟槽功率器件及其制造方法 [P]. 
颜树范 .
中国专利 :CN106298941A ,2017-01-04
[5]
屏蔽栅沟槽功率器件及其制造方法 [P]. 
颜树范 .
中国专利 :CN107507765A ,2017-12-22
[6]
屏蔽栅沟槽功率器件的制造方法 [P]. 
杨伟杰 ;
孟凡顺 ;
易芳 .
中国专利 :CN112838009B ,2021-05-25
[7]
沟槽栅功率器件及其制造方法 [P]. 
李东升 .
中国专利 :CN111370463A ,2020-07-03
[8]
屏蔽栅沟槽功率器件及其制造方法 [P]. 
李东升 .
中国专利 :CN108511341A ,2018-09-07
[9]
屏蔽栅沟槽功率器件的制造方法 [P]. 
惠亚妮 ;
李秀然 ;
薛华瑞 .
中国专利 :CN113410291B ,2024-05-03
[10]
屏蔽栅沟槽功率器件的制造方法 [P]. 
宁润涛 ;
孟凡顺 ;
黄康荣 .
中国专利 :CN111081540A ,2020-04-28