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屏蔽栅沟槽功率器件及其制造方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN201610822429.8
申请日
:
2016-09-13
公开(公告)号
:
CN106298941A
公开(公告)日
:
2017-01-04
发明(设计)人
:
颜树范
申请人
:
申请人地址
:
201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号
IPC主分类号
:
H01L2978
IPC分类号
:
H01L29423
H01L21336
代理机构
:
上海浦一知识产权代理有限公司 31211
代理人
:
郭四华
法律状态
:
公开
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2017-01-04
公开
公开
2017-02-01
实质审查的生效
实质审查的生效 号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101700867425 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:2016108224298 申请日:20160913
2019-04-09
授权
授权
共 50 条
[1]
屏蔽栅沟槽功率器件及其制造方法
[P].
杨亚锋
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
杨亚锋
;
石磊
论文数:
0
引用数:
0
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0
石磊
.
中国专利
:CN111883592A
,2020-11-03
[2]
屏蔽栅沟槽功率器件及其制造方法
[P].
颜树范
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
颜树范
.
中国专利
:CN107068763A
,2017-08-18
[3]
屏蔽栅沟槽功率器件及其制造方法
[P].
颜树范
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
颜树范
.
中国专利
:CN106876279A
,2017-06-20
[4]
屏蔽栅沟槽功率器件及其制造方法
[P].
刘沙沙
论文数:
0
引用数:
0
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0
刘沙沙
;
石磊
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
石磊
.
中国专利
:CN111883583A
,2020-11-03
[5]
屏蔽栅沟槽功率器件及其制造方法
[P].
颜树范
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
颜树范
.
中国专利
:CN107507765A
,2017-12-22
[6]
具有屏蔽栅的沟槽栅功率器件的制造方法
[P].
柯行飞
论文数:
0
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0
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0
柯行飞
.
中国专利
:CN105957811A
,2016-09-21
[7]
屏蔽栅沟槽功率器件的制造方法
[P].
杨伟杰
论文数:
0
引用数:
0
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0
杨伟杰
;
孟凡顺
论文数:
0
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0
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0
孟凡顺
;
易芳
论文数:
0
引用数:
0
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0
易芳
.
中国专利
:CN112838009B
,2021-05-25
[8]
具有屏蔽栅的沟槽栅功率器件的制造方法
[P].
颜树范
论文数:
0
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0
h-index:
0
颜树范
.
中国专利
:CN105428241A
,2016-03-23
[9]
具有屏蔽栅的沟槽栅功率器件的制造方法
[P].
缪进征
论文数:
0
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0
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0
缪进征
;
颜树范
论文数:
0
引用数:
0
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0
颜树范
.
中国专利
:CN105513971A
,2016-04-20
[10]
屏蔽栅沟槽功率MOSTET器件及其制造方法
[P].
颜树范
论文数:
0
引用数:
0
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0
颜树范
.
中国专利
:CN107799601B
,2018-03-13
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