屏蔽栅沟槽功率器件及其制造方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201610822429.8
申请日
2016-09-13
公开(公告)号
CN106298941A
公开(公告)日
2017-01-04
发明(设计)人
颜树范
申请人
申请人地址
201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号
IPC主分类号
H01L2978
IPC分类号
H01L29423 H01L21336
代理机构
上海浦一知识产权代理有限公司 31211
代理人
郭四华
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
屏蔽栅沟槽功率器件及其制造方法 [P]. 
杨亚锋 ;
石磊 .
中国专利 :CN111883592A ,2020-11-03
[2]
屏蔽栅沟槽功率器件及其制造方法 [P]. 
颜树范 .
中国专利 :CN107068763A ,2017-08-18
[3]
屏蔽栅沟槽功率器件及其制造方法 [P]. 
颜树范 .
中国专利 :CN106876279A ,2017-06-20
[4]
屏蔽栅沟槽功率器件及其制造方法 [P]. 
刘沙沙 ;
石磊 .
中国专利 :CN111883583A ,2020-11-03
[5]
屏蔽栅沟槽功率器件及其制造方法 [P]. 
颜树范 .
中国专利 :CN107507765A ,2017-12-22
[6]
具有屏蔽栅的沟槽栅功率器件的制造方法 [P]. 
柯行飞 .
中国专利 :CN105957811A ,2016-09-21
[7]
屏蔽栅沟槽功率器件的制造方法 [P]. 
杨伟杰 ;
孟凡顺 ;
易芳 .
中国专利 :CN112838009B ,2021-05-25
[8]
具有屏蔽栅的沟槽栅功率器件的制造方法 [P]. 
颜树范 .
中国专利 :CN105428241A ,2016-03-23
[9]
具有屏蔽栅的沟槽栅功率器件的制造方法 [P]. 
缪进征 ;
颜树范 .
中国专利 :CN105513971A ,2016-04-20
[10]
屏蔽栅沟槽功率MOSTET器件及其制造方法 [P]. 
颜树范 .
中国专利 :CN107799601B ,2018-03-13