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具有场板结构的低栅电荷器件及其制造方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202010350874.5
申请日：
2020-04-28
公开(公告)号：
CN111463263B
公开(公告)日：
2020-07-28
发明(设计)人：
吴健
申请人：
申请人地址：
201206 上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区申江路5005弄3号9-12层、2号102单元
IPC主分类号：
H01L2906
IPC分类号：
H01L2940 H01L29423 H01L2949 H01L21336 H01L2978
代理机构：
上海大视知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31314
代理人：
蔡沅
法律状态：
专利申请权、专利权的转移
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2022-06-07 专利申请权、专利权的转移 专利申请权的转移 IPC(主分类):H01L 29/06 登记生效日:20220525 变更事项:申请人 变更前权利人:力来托半导体(上海)有限公司 变更后权利人:上海晶丰明源半导体股份有限公司 变更事项:地址 变更前权利人:201306 上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区临港新片区环湖西二路888号C楼 变更后权利人:201206 上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区申江路5005弄3号9-12层、2号102单元
2020-07-28 公开 公开
2021-12-17 专利申请权、专利权的转移 专利申请权的转移 IPC(主分类):H01L 29/06 登记生效日:20211207 变更事项:申请人 变更前权利人:吴健 变更后权利人:力来托半导体(上海)有限公司 变更事项:地址 变更前权利人:200052 上海市长宁区延安西路900号 变更后权利人:201306 上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区临港新片区环湖西二路888号C楼
2020-08-21 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/06 申请日:20200428
2022-09-13 专利权质押合同登记的生效、变更及注销 专利权质押合同登记的生效 IPC(主分类):H01L 29/06 登记号:Y2022310000210 登记生效日:20220829 出质人:上海晶丰明源半导体股份有限公司 质权人:中信银行股份有限公司上海分行 发明名称:具有场板结构的低栅电荷器件及其制造方法 申请日:20200428 授权公告日:20220701
2022-07-01 授权 授权
共 50 条
[1]
具有阶梯分立屏蔽槽的低栅电荷器件及其制造方法 [P]. 
章文通 ;
朱旭晗 ;
祖健 ;
乔明 ;
李肇基 ;
张波 .
中国专利 :CN112382658B ,2021-02-19
[2]
具有栅场板结构的横向功率器件及其制备方法 [P]. 
于绍欣 ;
高沛雄 ;
赵晓龙 .
中国专利 :CN114429985A ,2022-05-03
[3]
具有低栅电荷特性的垂直沟道器件及制造方法 [P]. 
章文通 ;
何俊卿 ;
杨昆 ;
王睿 ;
乔明 ;
王卓 ;
张波 ;
李肇基 .
中国专利 :CN110676305A ,2020-01-10
[4]
具有栅漏复合阶梯场板结构的增强型HEMT射频器件及其制备方法 [P]. 
孙慧卿 ;
夏凡 ;
李渊 ;
夏晓宇 ;
谭秀洋 ;
张淼 ;
马建铖 ;
黄志辉 ;
王鹏霖 ;
丁霄 .
中国专利 :CN113178480A ,2021-07-27
[5]
具有屏蔽栅的沟槽栅器件的制造方法 [P]. 
杨毓龙 ;
陈正嵘 ;
沈浩峰 .
中国专利 :CN110034182A ,2019-07-19
[6]
低栅漏电容的沟槽MOS器件及其制造方法 [P]. 
刘伟 ;
王凡 .
中国专利 :CN102437191A ,2012-05-02
[7]
具有场板结构的HEMT器件及其制备方法 [P]. 
王黎明 ;
肖霞 ;
何雍春 .
中国专利 :CN113035943A ,2021-06-25
[8]
空气栅场板结构及其制备方法 [P]. 
吕奇峰 .
中国专利 :CN120282510A ,2025-07-08
[9]
具有背面场板结构的HEMT器件及其制备方法 [P]. 
董志华 ;
蔡勇 ;
于国浩 ;
张宝顺 .
中国专利 :CN103715257B ,2014-04-09
[10]
集成场板结构的平面栅型碳化硅MOSFET功率器件及其制造方法 [P]. 
张跃 ;
柏松 ;
宋晓峰 ;
李士颜 ;
黄润华 ;
杨勇 .
中国专利 :CN117747667A ,2024-03-22
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