具有场板结构的HEMT器件及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201911359911.2

申请日：

2019-12-25

公开(公告)号：

CN113035943A

公开(公告)日：

2021-06-25

发明(设计)人：

王黎明肖霞何雍春

申请人：

申请人地址：

401331 重庆市沙坪坝区西永镇西永路367号四楼

IPC主分类号：

H01L2940

IPC分类号：

H01L29778 H01L21335

代理机构：

上海光华专利事务所(普通合伙) 31219

代理人：

贺妮妮

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-07-13	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/40 申请日:20191225
2021-06-25	公开	公开

共 50 条

[1]

具有背场板结构的HEMT器件及其制备方法 [P].

李国强 ;

陈丁波 ;

刘智崑 ;

万利军 .

中国专利 :CN108231882A ,2018-06-29

[2]

具有背场板结构的HEMT器件及其制备方法 [P].

李国强 ;

陈丁波 ;

刘智崑 ;

万利军 .

中国专利 :CN108231882B ,2024-12-31

[3]

具有背面场板结构的HEMT器件及其制备方法 [P].

董志华 ;

蔡勇 ;

于国浩 ;

张宝顺 .

中国专利 :CN103715257B ,2014-04-09

[4]

多栅极场板结构HEMT器件及其制备方法 [P].

孙慧卿 ;

夏晓宇 ;

夏凡 ;

马建铖 ;

李渊 ;

谭秀洋 ;

张淼 ;

郭志友 ;

黄志辉 ;

丁霄 ;

王鹏霖 .

中国专利 :CN112635552A ,2021-04-09

[5]

具有背场板结构的HEMT器件 [P].

李国强 ;

陈丁波 ;

刘智崑 ;

万利军 .

中国专利 :CN207925478U ,2018-09-28

[6]

具有背面场板结构的MIS-HEMT器件及其制备方法 [P].

董志华 ;

蔡勇 ;

于国浩 ;

张宝顺 .

中国专利 :CN103730492B ,2014-04-16

[7]

具有背面场板结构的增强型HEMT器件及其制备方法 [P].

董志华 ;

蔡勇 ;

于国浩 ;

张宝顺 .

中国专利 :CN103730360B ,2014-04-16

[8]

具有背面场板结构的增强型MIS‑HEMT器件及其制备方法 [P].

董志华 ;

蔡勇 ;

于国浩 ;

张宝顺 .

中国专利 :CN103715235B ,2014-04-09

[9]

一种背面场板结构HEMT器件及其制备方法 [P].

吴华龙 ;

赵维 ;

何晨光 ;

张康 ;

贺龙飞 ;

陈志涛 .

中国专利 :CN107611107A ,2018-01-19

[10]

引入p-NiO RESURF和场板结构的HEMT器件及其制备方法 [P].

郭慧 ;

贡瑞苓 ;

陈敦军 ;

张荣 .

中国专利 :CN118156304A ,2024-06-07

← 1 2 3 4 5 →