具有背面场板结构的增强型HEMT器件及其制备方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201410007469.8
申请日
2014-01-09
公开(公告)号
CN103730360B
公开(公告)日
2014-04-16
发明(设计)人
董志华 蔡勇 于国浩 张宝顺
申请人
申请人地址
310018 浙江省杭州市下沙高教园区2号大街
IPC主分类号
H01L21335
IPC分类号
H01L29778 H01L29423
代理机构
南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256
代理人
王锋
法律状态
专利申请权、专利权的转移
国省代码
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共 50 条
[1]
具有背面场板结构的增强型MIS‑HEMT器件及其制备方法 [P]. 
董志华 ;
蔡勇 ;
于国浩 ;
张宝顺 .
中国专利 :CN103715235B ,2014-04-09
[2]
具有背面场板结构的HEMT器件及其制备方法 [P]. 
董志华 ;
蔡勇 ;
于国浩 ;
张宝顺 .
中国专利 :CN103715257B ,2014-04-09
[3]
具有背面场板结构的MIS-HEMT器件及其制备方法 [P]. 
董志华 ;
蔡勇 ;
于国浩 ;
张宝顺 .
中国专利 :CN103730492B ,2014-04-16
[4]
一种背面场板结构HEMT器件及其制备方法 [P]. 
吴华龙 ;
赵维 ;
何晨光 ;
张康 ;
贺龙飞 ;
陈志涛 .
中国专利 :CN107611107A ,2018-01-19
[5]
一种背面场板结构HEMT器件 [P]. 
吴华龙 ;
赵维 ;
何晨光 ;
张康 ;
贺龙飞 ;
陈志涛 .
中国专利 :CN207183255U ,2018-04-03
[6]
具有场板结构的HEMT器件及其制备方法 [P]. 
王黎明 ;
肖霞 ;
何雍春 .
中国专利 :CN113035943A ,2021-06-25
[7]
具有背场板结构的HEMT器件及其制备方法 [P]. 
李国强 ;
陈丁波 ;
刘智崑 ;
万利军 .
中国专利 :CN108231882A ,2018-06-29
[8]
具有背场板结构的HEMT器件及其制备方法 [P]. 
李国强 ;
陈丁波 ;
刘智崑 ;
万利军 .
中国专利 :CN108231882B ,2024-12-31
[9]
降低注入损伤实现增强型HEMT器件的方法及增强型HEMT器件 [P]. 
于国浩 ;
张志利 ;
蔡勇 ;
张宝顺 ;
付凯 ;
孙世闯 ;
宋亮 .
中国专利 :CN106206695A ,2016-12-07
[10]
N极性增强型HEMT器件结构及其制备方法 [P]. 
曾巧玉 ;
李成果 ;
葛小明 ;
尹雪兵 ;
姜南 ;
陈志涛 .
中国专利 :CN114284357A ,2022-04-05