具有背面场板结构的MIS-HEMT器件及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410008434.6

申请日：

2014-01-09

公开(公告)号：

CN103730492B

公开(公告)日：

2014-04-16

发明(设计)人：

董志华蔡勇于国浩张宝顺

申请人：

申请人地址：

215000 江苏省苏州市工业园区星湖街218号生物纳米园A4楼110B室

IPC主分类号：

H01L29778

IPC分类号：

H01L2940 H01L21335 H01L2128

代理机构：

南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256

代理人：

王锋

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-05-14	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101582225532 IPC(主分类):H01L 29/778 专利申请号:2014100084346 申请日:20140109
2014-04-16	公开	公开
2016-08-31	授权	授权

共 50 条

[1]

具有背面场板结构的增强型MIS‑HEMT器件及其制备方法 [P].

董志华 ;

蔡勇 ;

于国浩 ;

张宝顺 .

中国专利 :CN103715235B ,2014-04-09

[2]

具有背面场板结构的HEMT器件及其制备方法 [P].

董志华 ;

蔡勇 ;

于国浩 ;

张宝顺 .

中国专利 :CN103715257B ,2014-04-09

[3]

具有背面场板结构的增强型HEMT器件及其制备方法 [P].

董志华 ;

蔡勇 ;

于国浩 ;

张宝顺 .

中国专利 :CN103730360B ,2014-04-16

[4]

一种背面场板结构HEMT器件及其制备方法 [P].

吴华龙 ;

赵维 ;

何晨光 ;

张康 ;

贺龙飞 ;

陈志涛 .

中国专利 :CN107611107A ,2018-01-19

[5]

实现高频MIS-HEMT的方法及MIS-HEMT器件 [P].

李夏珺 ;

张宝顺 ;

蔡勇 ;

于国浩 ;

付凯 ;

张志利 ;

孙世闯 ;

宋亮 .

中国专利 :CN108695383B ,2018-10-23

[6]

一种背面场板结构HEMT器件 [P].

吴华龙 ;

赵维 ;

何晨光 ;

张康 ;

贺龙飞 ;

陈志涛 .

中国专利 :CN207183255U ,2018-04-03

[7]

具有场板结构的HEMT器件及其制备方法 [P].

王黎明 ;

肖霞 ;

何雍春 .

中国专利 :CN113035943A ,2021-06-25

[8]

改善III族氮化物MIS-HEMT欧姆接触的方法及MIS-HEMT器件 [P].

李夏珺 ;

张宝顺 ;

蔡勇 ;

于国浩 ;

付凯 ;

张志利 ;

孙世闯 ;

宋亮 .

中国专利 :CN108695156B ,2018-10-23

[9]

Ⅲ族氮化物增强型MIS-HEMT器件及其制备方法 [P].

张志利 ;

张宝顺 ;

蔡勇 ;

付凯 ;

于国浩 ;

孙世闯 ;

宋亮 .

中国专利 :CN106158947A ,2016-11-23

[10]

具有背场板结构的HEMT器件及其制备方法 [P].

李国强 ;

陈丁波 ;

刘智崑 ;

万利军 .

中国专利 :CN108231882A ,2018-06-29

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